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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118248572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410684162.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体结构的形成方法是由周鲁豪;吴永玉;陶然;王江红;黄天哲设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底上形成焊垫复合材料层，焊垫复合材料层包括第一阻挡层、焊垫材料层；在焊垫复合材料层表面形成无机抗反射层和位于无机抗反射层表面的光刻胶材料层；图形化光刻胶材料层，形成光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，采用第一干法刻蚀工艺，刻蚀无机抗反射层和焊垫复合材料层，直到暴露出第一阻挡层，在无机抗反射层和焊垫复合材料层内形成凹槽，以焊垫材料层形成焊垫层；在第一干法刻蚀工艺之后，去除光刻胶层；在去除光刻胶层之后，采用第二干法刻蚀工艺，刻蚀无机抗反射层和凹槽底部的第一阻挡层，以去除无机抗反射层以及凹槽底部的第一阻挡层，在提高形成的焊垫层线条精度的同时，避免增加焊垫层电阻的问题。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成焊垫复合材料层，所述焊垫复合材料层包括第一阻挡层、位于所述第一阻挡层表面的焊垫材料层、位于所述焊垫材料层表面的第二阻挡层，所述第二阻挡层的厚度小于所述第一阻挡层的厚度，所述第二阻挡层的材料和所述第一阻挡层的材料层相同； 在所述焊垫复合材料层表面形成无机抗反射层和位于所述无机抗反射层表面的光刻胶材料层； 图形化所述光刻胶材料层，形成光刻胶层； 以所述光刻胶层为掩膜，采用第一干法刻蚀工艺，刻蚀所述无机抗反射层和所述焊垫复合材料层，直到暴露出所述第一阻挡层，在所述无机抗反射层和所述焊垫复合材料层内形成凹槽，以所述焊垫材料层形成焊垫层； 在所述第一干法刻蚀工艺之后，去除所述光刻胶层； 在去除所述光刻胶层之后，采用第二干法刻蚀工艺，刻蚀所述无机抗反射层、所述第二阻挡层和所述凹槽底部的所述第一阻挡层，以去除所述无机抗反射层和所述第二阻挡层以及所述凹槽底部的所述第一阻挡层。

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