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北京工业大学夏国栋获国家专利权

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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利微槽道-纳米多孔薄膜复合芯硅基超薄热管及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118442865B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410719644.X,技术领域涉及:F28D15/04;该发明授权微槽道-纳米多孔薄膜复合芯硅基超薄热管及其制造方法是由夏国栋;丁荣扩;马丹丹;李冉设计研发完成,并于2024-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

微槽道-纳米多孔薄膜复合芯硅基超薄热管及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明属于电子芯片冷却强化换热技术领域,公开了一种微槽道‑纳米多孔薄膜复合芯硅基超薄热管及其制造方法,包括管体,管体的一端为蒸发端,另一端设置为冷凝端;管体包括相互键合的第一导热硅片和第二导热硅片,第一导热硅片与第二导热硅片之间设置有纳米多孔薄膜;第一导热硅片上设置有微槽道阵列,第二导热硅片上设置有蒸汽槽道,纳米多孔薄膜设置在微槽道阵列与蒸汽槽道之间;蒸汽槽道和微槽道阵列内循环流动设置有用于进行冷却的工质。本发明结构紧凑,精准度高,使工质在无外界动力的前提下进行循环流动,提高了毛细蒸发的散热能力,可实现对芯片的快速降温,且散热量可随着芯片的热负荷自动调整,具有改善温度的均匀性的优势。

本发明授权微槽道-纳米多孔薄膜复合芯硅基超薄热管及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种微槽道-纳米多孔薄膜复合芯硅基超薄热管,其特征在于:包括键合在芯片9表面的管体1,所述管体1的一端设置为蒸发端并与芯片9的外壁键合,所述管体1的另一端设置为冷凝端并伸出芯片9范围; 所述管体1包括相互键合的第一导热硅片2和第二导热硅片3,所述第一导热硅片2与所述第二导热硅片3之间设置有纳米多孔薄膜4; 所述第一导热硅片2上设置有微槽道阵列5,所述第二导热硅片3上设置有与所述微槽道阵列5对应设置并连通的蒸汽槽道6,所述纳米多孔薄膜4设置在所述微槽道阵列5与所述蒸汽槽道6之间; 所述蒸汽槽道6和所述微槽道阵列5内循环流动设置有用于进行冷却的工质7; 所述微槽道阵列5开设在所述第一导热硅片2朝向所述第二导热硅片3的侧面上,所述微槽道阵列5由冷凝端朝向蒸发端设置; 所述蒸汽槽道6开设在所述第二导热硅片3朝向所述第一导热硅片2的侧面,所述蒸汽槽道6由冷凝端朝向蒸发端设置; 所述微槽道阵列5包括若干阵列平行设置的微槽道8,若干所述微槽道8等间距布置,所述纳米多孔薄膜4覆盖键合在所述微槽道8的顶端;所述微槽道8的截面设置为矩形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京工业大学,其通讯地址为:100124 北京市朝阳区平乐园100号北京工业大学;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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