拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司顾颜俣获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种温控混气结构及半导体加工设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223010253U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421513241.1，技术领域涉及：B01F23/10；该实用新型一种温控混气结构及半导体加工设备是由顾颜俣;费腾设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种温控混气结构及半导体加工设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种温控混气结构及一种半导体加工设备。所述温控混气结构包括：壳体，具有外壳及内壳，其中，所述外壳上设有温控剂入口及温控剂出口，所述内壳与所述外壳之间设有过流通道；以及多根温控混气杆，设置于所述温控混气结构的进气口及出气口之间，以扰动所述进气口及所述出气口之间的气流，其中，所述温控混气杆为中空结构，其第一端连接所述过流通道中靠近所述温控剂入口的第一位置，而其第二端连接所述过流通道中靠近所述温控剂出口的第二位置，以供所述温控剂从所述温控剂入口流向所述温控剂出口，并调节流经的气流的温度。
本实用新型一种温控混气结构及半导体加工设备在权利要求书中公布了：1.一种温控混气结构，其特征在于，包括： 壳体，具有外壳及内壳，其中，所述外壳上设有温控剂入口及温控剂出口，所述内壳与所述外壳之间设有过流通道；以及 多根温控混气杆，设置于所述温控混气结构的进气口及出气口之间，以扰动所述进气口及所述出气口之间的气流，其中，所述温控混气杆为中空结构，其第一端连接所述过流通道中靠近所述温控剂入口的第一位置，而其第二端连接所述过流通道中靠近所述温控剂出口的第二位置，以供所述温控剂从所述温控剂入口流向所述温控剂出口，并调节流经的气流的温度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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