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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利门极换流晶闸管单元及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410865807.5，技术领域涉及：H10D18/65；该发明授权门极换流晶闸管单元及其制备方法、半导体器件是由李立;魏晓光;王耀华;高明超;吴沛飞;刘瑞;李玲;唐新灵;纪瑞朗;李宋伟设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本门极换流晶闸管单元及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种门极换流晶闸管单元及其制备方法、半导体器件，包括：从阳极金属到阴极金属依次排列的阳极区、缓冲区、第一初始基区、第二初始基区、阴极区；第一掺杂基区和第二掺杂基区，分别位于第二初始基区顶部的两侧；第一门极金属，至少部分位于第一掺杂基区的沟槽内；第二门极金属，至少部分位于第二掺杂基区的沟槽内，其中，阳极区、基区、第一掺杂基区、第二掺杂基区的导电类型相同，第一初始基区、阴极区的导电类型相同且与阳极区的导电类型不同；第一掺杂基区和第二掺杂基区中的离子浓度大于第二初始基区的离子浓度。至少能够有效降低门极换流晶闸管单元在关断过程中动态雪崩重触发的风险，提升IGCT芯片的关断能力。

本发明授权门极换流晶闸管单元及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种门极换流晶闸管单元，其特征在于，包括： 从阳极金属到阴极金属依次排列的阳极区、第一初始基区、第二初始基区、阴极区，所述第二初始基区包括第一子初始基区和第二子初始基区，所述第一子初始基区位于第二子初始基区顶部，所述第一子初始基区的中的离子浓度大于第二子初始基区的离子浓度； 第一掺杂基区和第二掺杂基区，分别位于所述第一子初始基区顶部的两侧； 第一门极金属，至少部分位于所述第一掺杂基区的沟槽内； 第二门极金属，至少部分位于所述第二掺杂基区的沟槽内； 其中，所述阳极区、所述第二初始基区、所述第一掺杂基区、所述第二掺杂基区的导电类型相同，所述第一初始基区、所述阴极区的导电类型相同且与所述阳极区的导电类型不同；所述第一掺杂基区和第二掺杂基区中的离子浓度大于所述第一子初始基区的离子浓度，所述第一门极金属的厚度大于所述第一掺杂基区的沟槽的深度，所述第二门极金属的厚度大于所述第二掺杂基区的沟槽的深度。

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