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龙图腾网获悉普赛微科技(杭州)有限公司申请的专利一种集成电路CP量产阶段测试温度校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119001403B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411123254.2，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种集成电路CP量产阶段测试温度校准方法是由李泽;蒋信;陆园园设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路CP量产阶段测试温度校准方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成电路CP量产测试温度校准方法，包括待进行CP量产测试的同批次晶圆中任意选取两片晶圆作为第一晶圆和第二晶圆，在待校正的量产环境温度下对第一晶圆和第二晶圆划分若干测试区域并进行温度测试，以及记录并计算得到每个测试区域的温度ADC值；对第一晶圆的每个测试区域对应的芯片进行封装和验证，从而得到需补偿温度差值和温度变化时验证芯片的ADC变化差值；基于ADC变化差值计算得到第二晶圆的计算ADC值；基于补偿温度差值和计算ADC值对探针台进行温度补偿。通过同产品的晶圆测温功能和准确模拟产品量产时的环境温度状态，粗调和精调探针台温度，从而保证晶圆测试环境温度的精度。

本发明授权一种集成电路CP量产阶段测试温度校准方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路CP量产测试温度校准方法，其特征在于，包括： S1，待进行CP量产测试的同批次晶圆中任意选取两片晶圆作为第一晶圆和第二晶圆，在待校正的量产环境温度下对第一晶圆和第二晶圆划分若干测试区域并进行测试，以及记录并计算得到每个测试区域的ADC值； S2，对第一晶圆的每个测试区域对应的芯片进行封装和温度验证，从而得到需补偿温度差值和温度变化时验证芯片的ADC变化差值； S3，基于ADC变化差值计算得到第二晶圆的计算ADC值； S4，基于补偿温度差值和计算ADC值对探针台进行温度补偿从而保证晶圆测试环境温度的精度; 所述S2，对第一晶圆的每个测试区域对应的芯片进行封装和验证，从而得到需补偿温度差值和温度变化时验证芯片的ADC变化差值，包括： S21，对第一晶圆的每个测试区域对应的芯片进行封装，并对应每个测试区域分别任意选取一颗芯片作为验证芯片进行温度验证； S22,将测温元件与验证芯片同时进行温度验证实验，并调节验证温度与待校正的量产环境温度相同； S23，调节验证温度从而使每个验证芯片的ADC值等于待校正的量产环境温度下的ADC值，并记录测温元件的温度； S24，基于记录测温元件的温度和验证芯片的ADC值，得到需补偿温度差值和温度变化时验证芯片的ADC变化差值； 所述S4中基于补偿温度差值和计算得到第二晶圆的计算ADC值对探针台进行温度补偿，包括： 根据补偿温度差值对探针台进行温度补偿粗调节； 根据第二晶圆的计算ADC值对探针台进行温度补偿细调节，使第二晶圆在量产环境温度下的ADC值等于计算ADC值。

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