武汉敏芯半导体股份有限公司魏思航获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉敏芯半导体股份有限公司申请的专利边发射激光芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119275717B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411197459.5，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权边发射激光芯片及其制作方法是由魏思航;周江昊;刘巍设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本边发射激光芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种边发射激光芯片及其制作方法，包括参考电极以及参考电极上方依次设置的N型注入层、有源区和P型注入层，P型注入层内设置有至少两个电隔离区，至少两个电隔离区之间形成有第一通道，且至少两个电隔离区背离第一通道的两侧分别形成有第二通道；P型注入层背离有源区的一侧设置有正向电极和至少两个反向电极，正向电极位于至少两个反向电极之间；正向电极相较于参考电极具有正电位，当正向电极加载正向电压时，空穴通过第一通道注入有源区的量子阱，电子也注入量子阱；至少两个反向电极相较于参考电极具有负电位，当至少两个反向电极加载反向电压时，量子阱一侧的空穴通过第二通道流入正向电极，量子阱另一侧的电子流入参考电极。
本发明授权边发射激光芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种边发射激光芯片，其特征在于，包括参考电极1，所述参考电极1的一侧依次设置有N型注入层2、有源区3和P型注入层4，所述P型注入层4内设置有至少两个电隔离区5，至少两个所述电隔离区5之间形成有第一通道，且至少两个所述电隔离区5背离所述第一通道的两侧分别形成有第二通道；所述P型注入层4背离所述有源区3的一侧设置有正向电极6和至少两个反向电极7，所述正向电极6位于至少两个所述反向电极7之间；所述正向电极6相较于所述参考电极1具有正电位，当所述正向电极6加载正向电压时，空穴通过所述第一通道注入所述有源区3的量子阱，电子也注入所述量子阱；至少两个所述反向电极7相较于所述参考电极1具有负电位，当至少两个所述反向电极7加载反向电压时，所述量子阱一侧的所述空穴通过所述第二通道流入所述反向电极7，所述量子阱另一侧的所述电子流入所述参考电极1。
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