北京中科格励微科技有限公司冯学强获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科格励微科技有限公司申请的专利一种高压隔离型温度传感器封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223005621U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422230598.5,技术领域涉及:G01K1/08;该实用新型一种高压隔离型温度传感器封装结构是由冯学强设计研发完成,并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压隔离型温度传感器封装结构在说明书摘要公布了:本公开提出一种高压隔离型温度传感器封装结构,属于温度传感器技术领域。封装结构包括:陶瓷管壳基底;至少一个温度传感器芯片设置于陶瓷管壳基底;封装件用于将温度传感器芯片封装于陶瓷管壳基底;至少一个热量传导件与至少一个电信号传导组件间隔设置于陶瓷管壳基底背离温度传感器芯片一侧,热量能够通过陶瓷管壳基底在热量传导件与温度传感器芯片之间传导,热量传导件与温度传感器芯片之间形成第一高压隔离栅,每个温度传感器芯片电连接至一个电信号传导组件,热量传导件与电信号传导组件之间形成第二高压隔离栅,实现了温度传感器芯片的高压隔离封装,提升了温度传感器在高压应用场景中的集成度与一致性。
本实用新型一种高压隔离型温度传感器封装结构在权利要求书中公布了:1.一种高压隔离型温度传感器封装结构,其特征在于,包括:陶瓷管壳基底;至少一个温度传感器芯片,设置于所述陶瓷管壳基底;封装件,用于将所述温度传感器芯片封装于所述陶瓷管壳基底;至少一个热量传导件,设置于所述陶瓷管壳基底背离所述温度传感器芯片的一侧,热量能够通过所述陶瓷管壳基底在所述热量传导件与所述温度传感器芯片之间进行传导,所述热量传导件与所述温度传感器芯片之间形成第一高压隔离栅;至少一个电信号传导组件,每个所述温度传感器芯片电连接至一个所述电信号传导组件;所述电信号传导组件与所述热量传导件间隔设置于所述陶瓷管壳基底背离所述温度传感器芯片的一侧,所述热量传导件与所述电信号传导组件之间形成第二高压隔离栅。
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