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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学申请的专利MOS管有效沟道长度测试方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411315952.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权MOS管有效沟道长度测试方法及装置是由赵东艳;刘芳;丁永康;许凯;高大为;吴永玉;吴波;邓永峰;章明瑞设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS管有效沟道长度测试方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOS管有效沟道长度测试方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法应用于MOS管测试结构，所述MOS管测试结构包括：多个MOS单元，每一个MOS单元包括衬底、源极、漏极和栅极，所述源极和所述漏极分别设置于所述衬底上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述衬底与所述栅极之间设置有隔离氧化层；其中，各个MOS单元共用一个衬底，各个MOS单元的栅极长度不同，相邻两个MOS单元共用源极或漏极。在测试时只需一组测试结构单元即可测试有效沟道长度，大大提高了测试效率，减小了测试结构所占据空间。

本发明授权MOS管有效沟道长度测试方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种MOS管有效沟道长度测试方法，其特征在于，应用于MOS管测试结构，所述MOS管测试结构包括多个MOS单元，每一个MOS单元包括衬底、源极、漏极和栅极，所述源极和所述漏极分别设置于所述衬底上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述衬底与所述栅极之间设置有隔离氧化层；其中，各个MOS单元共用一个衬底，各个MOS单元的栅极长度不同，相邻两个MOS单元共用源极或漏极；所述MOS管有效沟道长度测试方法包括：按照预置的电压施加方案，对所述MOS管测试结构中的MOS单元施加电压信号；所述预置的电压施加方案包括预置的第一电压施加方案和预置的第二电压施加方案；所述预置的第一电压施加方案为：对所述MOS管测试结构中的所有MOS单元施加第一固定漏极电压，且对所述MOS管测试结构中的任一MOS单元施加不同的栅极电压；所述预置的第二电压施加方案为：对所述MOS管测试结构中的所有MOS单元施加第二固定漏极电压，且对所述MOS管测试结构中的所有MOS单元施加不同的栅极电压；获取所述MOS管测试结构中的MOS单元在所述电压信号下的参数信息；基于所述参数信息，得到有效沟道长度。

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