中环领先半导体科技股份有限公司韩少锋获国家专利权
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龙图腾网获悉中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利一种外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119275172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411388220.6，技术领域涉及：H01L21/687；该发明授权一种外延片及其制备方法是由韩少锋;王自坤;经尚宸;严亚楠设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种外延片及其制备方法，制备方法包括：向外延反应腔通入第一氢气和氯化氢气体，对外延反应腔的内壁和基座的表面进行刻蚀，第一氢气具有第一流量Q1Lmin；结束氯化氢气体的通入，进行第一次降温，保持第一氢气的流量为第一流量Q1Lmin，同时向外延反应腔通入气态三氯氢硅，在基座表面沉积本征硅层；结束气态三氯氢硅的通入，调节第一氢气的流量为第二流量Q2Lmin，进行第二次降温；将衬底置于外延反应腔，进行升温，在衬底表面生长外延层；其中，Q1＜Q2。该制备方法缩短了整体工艺时间，同时使晶片的正面颗粒及硅堆叠状况均达到理想状态，在提升制备效率的同时保障了外延片的质量。
本发明授权一种外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供外延反应腔，所述外延反应腔内包括基座，向所述外延反应腔通入第一氢气和氯化氢气体，对所述外延反应腔的内壁和所述基座的表面进行刻蚀，所述第一氢气具有第一流量Q1Lmin；结束所述氯化氢气体的通入，进行第一次降温，保持所述第一氢气的流量为第一流量Q1Lmin，同时向所述外延反应腔通入气态三氯氢硅，在所述基座表面沉积本征硅层；结束所述气态三氯氢硅的通入，调节所述第一氢气的流量为第二流量Q2Lmin，进行第二次降温；提供衬底，将所述衬底置于外延反应腔，进行升温，在所述衬底表面生长外延层；进行第三次降温，完成所述外延片的制备；其中，Q1＜Q2，所述第一流量Q1Lmin和所述第二流量Q2Lmin满足：Q1:Q2=1:2~2.25。
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