买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉嘉兴微瑞光学有限公司申请的专利小数值孔径微透镜阵列的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119148266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411510745.2，技术领域涉及：G02B3/00；该发明授权小数值孔径微透镜阵列的制备方法是由张畅达;蔡胜设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本小数值孔径微透镜阵列的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种小数值孔径微透镜阵列的制备方法，通过硅基表面胶层制备、曝光套刻、显影、热熔以及刻蚀等工艺步骤，通过将光刻胶匀胶设置为多层匀胶，不同胶层的光刻胶材料与匀胶参数不同，三层光刻胶黏度有明显区分，是影响后续小数值孔径微透镜成形的关键因素；设计不同面积的圆形掩模版，通过套刻曝光后可实现对透镜热熔后微透镜口径的精准控制，提高硅基晶圆内微透镜阵列面型均匀性；热熔烘烤的温度与时间是双层光刻胶结构融合形成微透镜的关键；刻蚀参数选择胶比硅的刻蚀速率快的刻蚀参数还可以进一步提升微透镜曲率半径，减微透镜小数值孔径与体积，从而有效的实现了小数值孔径微透镜阵列的制备。

本发明授权小数值孔径微透镜阵列的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种小数值孔径微透镜阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、硅基表面胶层制备：取硅基晶圆，并在硅基晶圆表面旋涂三层光刻胶，每层光刻胶涂完后均进行烘烤并冷却至室温再进行下一次旋涂，其中第一层光刻胶为正性低黏度光刻胶，第二层光刻胶为正性中黏度光刻胶，第三层光刻胶为正性高黏度光刻胶，且三层光刻胶的烘烤温度相比：第一层光刻胶＞第二层光刻胶＞第三层光刻胶；S2.1、曝光套刻：准备三个掩模版，一号掩模版为小面积圆形阵列，二号掩模版为中面积圆形阵列，三号掩模版为大面积圆形阵列，圆形区域不透光，非圆形区域透光，掩模版上下左右边缘有对位标识，三个掩模版相同位置的圆形中心点重合；S2.2、分别将一号、二号、三号掩模版放入曝光机对带胶硅基晶圆曝光，曝光参数根据胶层厚度调整；S3、显影：将曝光三次后的带胶硅基晶圆放入显影机内，采用含氢氧化钾的显影液进行显影，显影液浓度与显影时间根据胶层厚度调整，显影至第一层非圆形区域无底胶残留，再用DI水旋转冲洗、并使用氮气吹干；S4、热熔：对热板进行温度设置，当热板温度到达设定温度后，将显影后的硅基晶圆放置于热板上开始烘烤，烘烤完成后将硅基晶圆取出并冷却至室温；S5、刻蚀：将烘烤后的硅基晶圆放置于刻蚀装置中，并设置刻蚀参数，调整硅胶刻蚀比，采用对光刻胶刻蚀速率更快的工艺参数，进一步降低硅基微透镜的数值孔径，提高透镜曲率半径，完成刻蚀后取出硅基晶圆，完成制备。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人嘉兴微瑞光学有限公司，其通讯地址为：314031 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道运河路1355号嘉欣西电产业园3#楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。