昆山清元电子科技有限公司孙士伦获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山清元电子科技有限公司申请的专利一种PbZrO3反铁电电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411544267.7，技术领域涉及：H01G4/06；该发明授权一种PbZrO3反铁电电容器及其制备方法是由孙士伦;刘隽甫;刘亦谦;徐绍亮设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PbZrO3反铁电电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种PbZrO3反铁电电容器及其制备方法，涉及铁电材料技术领域，一种PbZrO3反铁电电容器，包括第一电极层、PbO层、固溶铁电体的反铁电层、LaNiO3层等，固溶铁电体的反铁电层中的物相包括PbZrO3、铁电体和含Ag的Au相。本发明还提供一种电容器的制备方法，包括以下步骤：将LaNiO3前驱体溶液沉积到单晶基底上，结晶；将PbZrO3前驱体溶液与铁电前驱体溶液混合后加入含Ag的Au纳米颗粒；将混合液涂到LaNiO3层上，结晶；将PbO前驱体溶液沉积到固溶铁电体的反铁电层表面，结晶；进行金电极沉积，得PbZrO3反铁电电容器。本发明中的电容器储能效率高，介电常数高。
本发明授权一种PbZrO3反铁电电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PbZrO3反铁电电容器，其特征在于，包括依次设置的第一电极层、PbO层、固溶铁电体的反铁电层、LaNiO3层、单晶基底和第二电极层，所述固溶铁电体的反铁电层中的物相包括PbZrO3、铁电体和含Ag的Au相，所述铁电体为BiScO3或Bi0.5Na0.5TiO3，所述固溶铁电体的反铁电层中PbZrO3、铁电体和含Ag的Au相的体积占比为100：6-12：2-3.3。
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