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龙图腾网恭喜广东芯粤能半导体有限公司申请的专利功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922962B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510397011.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权功率半导体器件是由余开庆;曾祥;彭天智;杨文敏;张正;李恬恬设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种功率半导体器件。该功率半导体器件，包括：元胞区与非元胞区，非元胞区与元胞区相邻；元胞区包括结型场效应晶体管区；功率半导体器件还包括栅极层，栅极层包括第一矩形区，第一矩形区位于结型场效应晶体管区的上方或位于非元胞区；第一矩形区包括镂空区。本申请提供的技术方案，可以减小器件的输入电容和减小器件的栅极内阻，同时能减小驱动的充放电电荷量和节省驱动功率，减小驱动板的成本，使驱动板更加小型化。

本发明授权功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：元胞区，所述元胞区包括结型场效应晶体管区；所述功率半导体器件还包括：栅极层，所述栅极层包括第一矩形区，所述第一矩形区位于所述结型场效应晶体管区的上方；所述第一矩形区包括镂空区；第一导电类型的衬底，所述衬底包括第一导电类型的外延层；第二导电类型的第一阱区与第二阱区，位于所述外延层中；第一源区，位于所述第一阱区中；第二源区，位于所述第二阱区中；所述第一源区靠近所述第二源区的边缘与所述第一阱区靠近所述第二阱区的边缘之间为第一有效沟道，所述第二源区靠近所述第一源区的边缘与所述第二阱区靠近所述第一阱区的边缘之间为第二有效沟道；所述结型场效应晶体管区位于所述第一有效沟道与所述第二有效沟道之间；所述第一矩形区还包括第一栅极条与第二栅极条，所述镂空区位于所述第一栅极条与所述第二栅极条之间；所述第一栅极条位于所述第一有效沟道的上方，所述第一有效沟道在所述衬底上的投影位于所述第一栅极条在所述衬底上的投影内；所述第二栅极条位于所述第二有效沟道的上方，所述第二有效沟道在所述衬底上的投影位于所述第二栅极条在所述衬底上的投影内；栅氧层，所述栅氧层位于所述外延层与所述栅极层之间；所述结型场效应晶体管区的表面设置有第一微沟槽，所述第一微沟槽位于所述镂空区的下方；所述栅氧层上包括第三通孔，所述镂空区、所述第三通孔与所述第一微沟槽依次连通；第一层间介质层，覆盖所述镂空区、所述第三通孔与所述第一微沟槽；所述功率半导体器件，还包括非元胞区，所述非元胞区与所述元胞区相邻，所述非元胞区设置有第五矩形区，所述第五矩形区包括镂空区；所述非元胞区为栅极焊盘区；所述镂空区为矩形，所述第五矩形区还包括第一环形区，所述第一环形区环绕所述镂空区；所述功率半导体器件还包括绝缘层与栅极接触孔，所述绝缘层位于所述第一环形区的上方，所述栅极接触孔贯穿所述绝缘层，并与所述第一环形区接触，所述第一环形区的宽度大于或等于最小允许线宽，且大于或等于栅极接触孔的最小尺寸；或者，所述非元胞区为栅极焊盘区；所述镂空区为环形，所述第五矩形区还包括第二环形区与第二矩形区，所述镂空区环绕所述第二矩形区，所述第二环形区环绕所述镂空区；所述第二矩形区浮空；或者，所述非元胞区为栅极走线区；所述第五矩形区还包括第三矩形区与多个第三栅极条，所述第三矩形区的第一侧设置有依次交替排列的所述镂空区与所述第三栅极条，所述第三栅极条与所述第三矩形区连接，所述第三矩形区的第二侧设置有依次交替排列的所述镂空区与所述第三栅极条，所述第一侧与所述第二侧位置相对；所述功率半导体器件还包括绝缘层与栅极接触孔，所述绝缘层位于所述第三矩形区的上方，所述栅极接触孔贯穿所述绝缘层，并与所述第三矩形区接触，所述第三矩形区的宽度小于所述第五矩形区的宽度，所述第三矩形区的宽度大于或等于最小允许线宽，且大于或等于栅极接触孔的最小尺寸；或者，所述非元胞区为终端区；所述第五矩形区还包括第四矩形区与多个第四栅极条，所述镂空区包括多个第一镂空部与第二镂空部；所述第四栅极条与所述第一镂空部位于所述第四矩形区在靠近所述元胞区的一侧，并交替排列，所述第四栅极条与所述第四矩形区连接；所述第二镂空部位于所述第四矩形区在远离所述元胞区的一侧，所述第四栅极条与所述第一镂空部沿所述第四矩形区的宽度方向延伸，所述第二镂空部沿所述第四矩形区的长度方向延伸；所述功率半导体器件还包括绝缘层与栅极接触孔，所述绝缘层位于所述第四矩形区的上方，所述栅极接触孔贯穿所述绝缘层，并与所述第四矩形区接触，所述第四矩形区的宽度大于或等于最小允许线宽，且大于或等于栅极接触孔的最小尺寸。

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