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龙图腾网恭喜东莞市通科电子有限公司申请的专利一种集成电路的平面凸点式封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119918366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510413392.2，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种集成电路的平面凸点式封装工艺是由钟平权;郭晓明;胡金权;彭奇;曹永春设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路的平面凸点式封装工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种集成电路的平面凸点式封装工艺，包含：输入芯片功耗及频率等约束条件，生成梯度凸点拓扑，通过多物理场仿真模型验证；将梯度凸点拓扑优化后的凸点参数映射至光刻掩膜版设计，生成坐标文件；导入梯度凸点拓扑优化后的凸点参数，构建薄晶圆的有限元模型，预测植球压力下的翘曲趋势，生成补偿系数库；实时扫描薄晶圆表面，比对实际形变与孪生预测数据，动态调整机械臂路径，得到薄晶圆的实际位置和对位信息；通过多物理场仿真模型和对位信息实时计算电流密度与热流密度分布，依据实测参数反向优化凸点高度与间距。本发明保证集成电路封装的高性能和可靠性，可以最大程度地优化封装结构，提高产品的质量和寿命。

本发明授权一种集成电路的平面凸点式封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种集成电路的平面凸点式封装工艺，其特征在于，包含以下步骤：集成半导体材料、凸点金属及基板的物性参数，建立描述在不同热-力-电作用下半导体材料行为和响应矩阵；输入芯片功耗及频率约束条件，生成梯度凸点拓扑，通过多物理场仿真模型验证；将梯度凸点拓扑优化后的凸点参数映射至光刻掩膜版设计，生成坐标文件；导入梯度凸点拓扑优化后的凸点参数，构建薄晶圆的有限元模型，生成指导机械臂在实际植球过程中动态调整的补偿系数库；实时扫描薄晶圆表面，动态调整机械臂路径，得到薄晶圆的实际位置和对位信息；通过多物理场仿真模型和对位信息实时计算电流密度与热流密度分布，依据实测参数反向优化凸点高度与间距；得到薄晶圆的实际位置和对位信息的过程，包含以下步骤：基于优化后的凸点参数，建立薄晶圆的有限元模型，模拟薄晶圆在植球压力下的行为，预测出现的翘曲现象；进行薄晶圆表面扫描，实时获取新的薄晶圆表面的实际形变数据；将实际形变数据与有限元模型预测数据进行比对，确定实际形变与预测之间的偏差；基于偏差动态调整机械臂的路径，凸点对位到目标焊盘上。

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