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龙图腾网恭喜天目山实验室申请的专利一种二维材料制备条件的确定方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943236B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510430616.0，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种二维材料制备条件的确定方法、装置、设备及介质是由周苗;智国翔;李天昭;许珂设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维材料制备条件的确定方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种二维材料制备条件的确定方法、装置、设备及介质，应用于二维材料制备领域。其确定方法包括：获取目标掺杂二维材料的目标特征参数，并根据目标掺杂二维材料构建靶材模型；基于预设离子辐照模拟软件确定初始辐照条件和靶材模型对应的模拟特征参数；当模拟特征参数与目标特征参数相同，则将初始辐照条件作为目标掺杂二维材料的目标制备条件；当模拟特征参数与目标特征参数不同，则基于差异对应的差异辐照条件对初始辐照条件进行修改，直至修改后的辐照条件对应的模拟特征参数与目标特征参数相同，并将修改后的辐照条件作为目标制备条件。由此可见，本申请提供的方法能辅助确定实验模拟设定的离子辐照的条件，实现材料的高质量制备。

本发明授权一种二维材料制备条件的确定方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种二维材料制备条件的确定方法，其特征在于，包括：获取目标掺杂二维材料的目标特征参数，并根据所述目标掺杂二维材料构建靶材模型；所述目标特征参数包括：目标特性参数和目标掺杂、空间参数；其中，所述目标特性参数包括：目标掺杂浓度和目标空位缺陷浓度；所述目标掺杂、空间参数包括：目标空位缺陷产生能力参数、目标替位掺杂能力参数和目标间隙掺杂能力参数；基于预设离子辐照模拟软件确定初始辐照条件和所述靶材模型对应的模拟特征参数；所述初始辐照条件包括：变量辐照条件和非变量辐照条件；所述模拟特征参数包括：模拟特性参数和模拟掺杂、空间参数；其中，所述变量辐照条件包括：初始辐照时间和初始入射离子能量；所述非变量辐照条件包括：初始离子种类、初始辐照角度和初始辐照强度；所述模拟特性参数包括：模拟掺杂浓度和模拟空位缺陷浓度；所述模拟掺杂、空间参数包括：模拟空位缺陷产生能力参数、模拟替位掺杂能力参数和模拟间隙掺杂能力参数；所述初始辐照条件包括：变量辐照条件和非变量辐照条件；当所述模拟特征参数与所述目标特征参数相同，则将所述初始辐照条件作为所述目标掺杂二维材料的目标制备条件；当所述模拟特征参数与所述目标特征参数不同，则基于差异对应的差异辐照条件对所述初始辐照条件进行修改，直至修改后的辐照条件对应的所述模拟特征参数与所述目标特征参数相同，并将所述修改后的辐照条件作为所述目标制备条件；其中，所述当所述模拟特征参数与所述目标特征参数不同，则基于差异对应的差异辐照条件对所述初始辐照条件进行修改，包括：若所述模拟空位缺陷产生能力参数、所述模拟替位掺杂能力参数和所述模拟间隙掺杂能力参数与对应的所述目标空位缺陷产生能力参数、所述目标替位掺杂能力参数和所述目标间隙掺杂能力参数均不相同，则基于差异对应的差异入射离子能量对所述初始入射离子能量进行修改；若所述模拟掺杂浓度和所述模拟空位缺陷浓度与对应的所述目标掺杂浓度和所述目标空位缺陷浓度均不相同，则基于差异对应的差异辐照时间对所述初始辐照时间进行修改。

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