恭喜现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社周洛龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111276530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910481899.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及其制造方法是由周洛龙设计研发完成，并于2019-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。根据本公开的示例性实施例的半导体器件包括：设置在基底的第一表面中的n‑型层；设置在n‑型层上的n型层；设置在n型层上的第一电极，以及设置在基底的第二表面中的第二电极，其中，n‑型层的能带隙大于n型层的能带隙。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 设置在基底的第一表面中的n-型层； 设置在所述n-型层上的n型层； 设置在所述n型层上的第一电极，以及 设置在所述基底的第二表面中的第二电极， 其中，所述n-型层的能带隙大于所述n型层的能带隙， 其中，所述n-型层包括碳化硅，并且所述n型层包括硅， 其中，所述半导体器件还包括 设置在所述n-型层和所述n型层之间的低浓度硅n型层，并且所述低浓度硅n型层的离子掺杂浓度小于所述n-型层的离子掺杂浓度， 其中，在所述低浓度硅n型层包括硅的情况下，异质结形成在所述n-型层和所述低浓度硅n型层的接触表面中；或者 其中，在所述低浓度硅n型层包括碳化硅的情况下，异质结形成在所述低浓度硅n型层和所述n型层的接触表面中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社，其通讯地址为：韩国首尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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