恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司李德元获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体器件TEM样品制备及测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115201238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110395088.1，技术领域涉及：G01N23/20008；该发明授权半导体器件TEM样品制备及测量方法是由李德元;余嘉晗设计研发完成，并于2021-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件TEM样品制备及测量方法在说明书摘要公布了：本申请涉及TEM样品的制备及半导体器件中空气隙关键尺寸的测量方法，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆上包括至少具有空气隙的待检测区域；切割所述晶圆以得到包括所述待检测区域的样片；对所述样片进行研磨减薄；实施高能量的FIB处理对所述样片进行粗减薄，直至将所述空气隙剖开；将填充材料填充至所述空气隙中；实施低能量的FIB处理对所述样片进行精减薄，以最终得到TEM样品，并观测其空气隙的关键尺寸。采用环氧树脂来填充空气隙，能够在FIB处理的过程中有效减少空气隙的形貌变形，改善测量分析的质量，提高关键尺寸的测量精度；同时，采用先FIB粗减薄、在填充环氧树脂之后再FIB精减薄相结合的工艺，进一步较少FIB造成的损伤和形貌变形，从而提高测量精度。
本发明授权半导体器件TEM样品制备及测量方法在权利要求书中公布了：1.一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供晶圆，所述晶圆上包括至少具有空气隙的待检测区域；所述空气隙为位于位线两侧的空气隙； 切割所述晶圆以得到包括所述待检测区域的样片； 对所述样片进行研磨减薄； 实施高能量的FIB处理对所述样片进行粗减薄，直至将所述空气隙剖开；在所述待检测区域的空气隙被剖开对应位置形成有第一标记； 将填充材料填充至所述空气隙中； 实施低能量的FIB处理对所述样片进行精减薄，在所述待检测区域的待检测图形对应位置形成有第二标记；以最终得到TEM样品。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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