恭喜苏州锴威特半导体股份有限公司张胜获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州锴威特半导体股份有限公司申请的专利一种整流桥启动保护电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113285586B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110686077.9,技术领域涉及:H02M1/36;该发明授权一种整流桥启动保护电路是由张胜;涂才根;谭在超;丁国华;罗寅设计研发完成,并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种整流桥启动保护电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种整流桥启动保护电路,所述保护电路包括整流桥、贮能电容C0、功率电阻R1,AC交流电源将通过功率电阻R1和整流桥对电容C0进行充电,功率电阻R1串联在AC交流电源与整流桥之间的环路上,贮能电容C0连接在整流桥两端,包括IC控制芯片、NMOS管N1、NOMS管N2、电容C1、电容C2、HB管脚、HO管脚及HS管脚,所述NMOS管N1和NOMS管N2的栅极连接在功率电阻R1的两端,NMOS管N1和NOMS管N2的源极和漏极分别相连,本发明专利电路结构简单,只需要一个功率电阻、两个功率NMOS管和一个控制IC即可实现解决方案,本发明专利限制了AC交流电源启动峰值电流,保护了整流桥的安全,保证了设备在高低温条件下都能正常启动。
本发明授权一种整流桥启动保护电路在权利要求书中公布了:1.一种整流桥启动保护电路,所述保护电路包括整流桥、贮能电容C0及功率电阻R1,AC交流电源将通过功率电阻R1和整流桥对电容C0进行充电,功率电阻R1串联在AC交流电源与整流桥之间的环路上,贮能电容C0连接在整流桥两端,其特征在于,保护电路还包括IC控制芯片、NMOS管N1、NOMS管N2、电容C1、电容C2、HB管脚、HO管脚及HS管脚; 所述IC控制芯片的VCC电源管脚连接至内部电路,HS管脚连接至NMOS管N1和NOMS管N2的源极,HO管脚连接至NMOS管N1和NOMS管N2的栅极,HB管脚通过电容C1连接至HS管脚; 所述电容C2连接于VCC电源管脚和GND管脚,电容C2为电源VCC的滤波电容; 所述NMOS管N1和NOMS管N2的栅极连接在功率电阻R1的两端,NMOS管N1和NOMS管N2的源极和漏极分别相连; 所述IC控制芯片包括欠压检测模块、电平转移模块、电荷泵模块、功率驱动模块,电荷泵模块用于对电容C1充电,电平转移模块用于将欠压检测模块输出的高电平信号从VCC电压域转移到VHB与VHS之间的电压域,欠压检测模块用于对VCC的电压进行检测,功率驱动模块用于增强VHB与VHS之间电压域高电平信号的电流驱动能力; 高电平信号通过功率驱动模块增强电流驱动能力后从HO管脚输出。
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