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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764346B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110931501.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王姝雯;廖志腾;陈志山;谢瑞夫;罗裕智设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：方法包括：在第一鳍上方形成间隔件层的第一部分并且在第二鳍上方形成间隔件层的第二部分；实施第一蚀刻工艺以使间隔件层的第一部分相对于间隔件层的第二部分凹进，以在第一鳍的侧壁上形成第一间隔件；随后实施第二蚀刻工艺以使间隔件层的第二部分相对于第一间隔件凹进，以在第二鳍的侧壁上形成第二间隔件，其中，第二间隔件形成为比第一间隔件的高度大的高度；以及在第一间隔件和第二间隔件之间分别形成第一外延源极漏极部件和第二外延源极漏极部件，其中，第一外延源极漏极部件大于第二外延源极漏极部件。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 提供具有第一器件区域和第二器件区域的衬底； 在所述第一器件区域中形成第一半导体鳍，并且在所述第二器件区域中形成第二半导体鳍； 在所述衬底上方形成间隔件层，其中，所述间隔件层的第一部分形成在所述第一半导体鳍上方，并且所述间隔件层的第二部分形成在所述第二半导体鳍上方； 实施第一蚀刻工艺以使所述间隔件层的所述第一部分相对于所述间隔件层的所述第二部分凹进，从而在所述第一半导体鳍的侧壁上形成第一鳍间隔件； 蚀刻所述第一半导体鳍以在所述第一鳍间隔件之间形成第一源极漏极凹槽； 在所述第一源极漏极凹槽中形成第一外延源极漏极部件； 在形成所述第一外延源极漏极部件之后，实施第二蚀刻工艺以使所述间隔件层的所述第二部分相对于所述间隔件层的所述第一部分凹进，包括循环地使所述间隔件层的所述第二部分凹进以及在所述第二半导体鳍上方再沉积蚀刻副产物，从而在所述第二半导体鳍的侧壁上形成第二鳍间隔件，其中，所述第二鳍间隔件形成为比所述第一鳍间隔件的高度大的高度； 蚀刻所述第二半导体鳍以在所述第二鳍间隔件之间形成第二源极漏极凹槽；以及 在所述第二源极漏极凹槽中形成第二外延源极漏极部件，其中，所述第二外延源极漏极部件形成为比所述第一外延源极漏极部件的尺寸小的尺寸。

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