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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628518B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110947803.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由小林勇介;牛流章弘;下条亮平;雁木比吕;井口智明;马场祥太郎;西胁达也;可知刚设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1导电部件及第1绝缘部件。半导体部件的第4半导体区域中的缺陷密度比半导体部件的第1半导体区域的第1位置中的第1缺陷密度高。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其中， 具备： 第1电极； 第2电极，从上述第1电极朝向上述第2电极的方向是沿着第1方向的方向； 第3电极，上述第3电极包括第3电极端部及第3电极其他端部，上述第3电极端部在上述第1方向上处于上述第1电极与上述第3电极其他端部之间； 第1导电部件，上述第1导电部件包括第1导电部件端部及第1导电部件其他端部，上述第1导电部件端部在上述第1方向上处于上述第1电极与上述第1导电部件其他端部之间，上述第1导电部件端部的上述第1方向上的位置处于上述第1电极的上述第1方向上的位置与上述第3电极端部的上述第1方向上的位置之间，上述第1导电部件与上述第2电极及上述第3电极中的一个电极电连接，或者上述第1导电部件能够与上述第2电极及上述第3电极中的一个电极电连接； 半导体部件，上述半导体部件包括第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、上述第1导电型的第3半导体区域和上述第1导电型的第4半导体区域；以及 第1绝缘部件，上述第1绝缘部件的至少一部分处于上述半导体部件与上述第3电极之间、以及上述半导体部件与上述第1导电部件之间， 在上述半导体部件中， 上述第1半导体区域包括第1部分区域及第2部分区域， 上述第1部分区域在上述第1方向上处于上述第1电极与上述第2电极之间， 上述第2半导体区域在上述第1方向上处于上述第1部分区域与上述第3半导体区域之间， 上述第3半导体区域与上述第2电极电连接， 从上述第3电极的一部分朝向上述第2半导体区域的第2方向是与上述第1方向交叉的方向， 从上述第3电极的其他部分朝向上述第1部分区域的一部分的方向是沿着上述第2方向的方向， 从上述第2部分区域朝向上述第1导电部件的方向是沿着上述第1方向的方向， 从上述第1导电部件朝向上述第1部分区域的方向是沿着上述第2方向的方向， 上述第4半导体区域在上述第1方向上设在上述第1电极与上述第1半导体区域之间， 上述第4半导体区域与上述第1电极电连接， 上述第4半导体区域中的上述第1导电型的载流子浓度比上述第1半导体区域中的上述第1导电型的载流子浓度高， 上述第1部分区域包括第1位置，从上述第1导电部件端部朝向上述第1位置的方向是沿着上述第2方向的方向， 上述第4半导体区域中的缺陷密度比上述第1位置处的第1缺陷密度高， 上述半导体部件还包括第5半导体区域， 上述第5半导体区域中的上述第1导电型的载流子浓度比上述第4半导体区域中的上述第1导电型的上述载流子浓度高， 上述第4半导体区域处于上述第5半导体区域与上述第1半导体区域之间， 上述第5半导体区域中的缺陷密度比上述第4半导体区域中的上述缺陷密度低。

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