恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司张瑜洁获国家专利权
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龙图腾网恭喜泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种耐高压SiC PIN二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111169987.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种耐高压SiC PIN二极管及其制造方法是由张瑜洁;施广彦;李佳帅;李志君;黄波设计研发完成，并于2021-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐高压SiC PIN二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种耐高压SiCPIN二极管及其制造方法，所述二极管包括：N型欧姆电极；N型重掺杂半导体传输层，所述N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至所述N型欧姆电极的上侧面；N型本征层，所述N型本征层的下侧面连接至所述N型重掺杂半导体传输层的上侧面；耐压提高层，所述耐压提高层的下侧面连接至所述N型本征层的上侧面，所述耐压提高层的材料为金刚石或二氧化硅；P型重掺杂半导体传输层，所述P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至所述耐压提高层的上侧面；及，P型欧姆电极，所述P型欧姆电极的下侧面连接至所述P型重掺杂半导体传输层的上侧面，提高SiCPIN二极管的耐压能力。
本发明授权一种耐高压SiC PIN二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高压SiCPIN二极管，其特征在于：包括： 一N型欧姆电极； 一N型重掺杂半导体传输层，所述N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至所述N型欧姆电极的上侧面； 一N型本征层，所述N型本征层的下侧面连接至所述N型重掺杂半导体传输层的上侧面； 一耐压提高层，所述耐压提高层的下侧面连接至所述N型本征层的上侧面，所述耐压提高层的材料为金刚石； 一P型重掺杂半导体传输层，所述P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至所述耐压提高层的上侧面； 以及，一P型欧姆电极，所述P型欧姆电极的下侧面连接至所述P型重掺杂半导体传输层的上侧面。
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