买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜株式会社日本显示器申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111242644.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示装置是由金子寿辉;花田明纮设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置在说明书摘要公布了：一种显示装置，具备：第一栅电极，配置于周边区域，且包含于栅极驱动器；第二栅电极，配置于显示区域，且与由栅极驱动器驱动的栅极线一体；第一氧化物半导体，配置于第一栅电极的上方；第二氧化物半导体，配置于第二栅电极的上方；第一源电极，在第二绝缘膜的第一开口处与第一氧化物半导体接触；第一漏电极，在第二绝缘膜的第二开口处与第一氧化物半导体接触；第二源电极，在第二绝缘膜的第三开口处与第二氧化物半导体接触；以及第二漏电极，在第二绝缘膜的第四开口处与第二氧化物半导体接触，第一开口与第二开口之间的第二绝缘膜和第一源电极的层叠体的长度大于第三开口与第四开口之间的第二绝缘膜和第二源电极的层叠体的长度。

本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，其特征在于，具备： 绝缘基板； 第一栅电极，在所述绝缘基板的上方配置于周边区域，且包含于栅极驱动器； 第二栅电极，在所述绝缘基板的上方配置于显示区域，且与由所述栅极驱动器驱动的栅极线一体； 第一绝缘膜，覆盖所述第一栅电极以及所述第二栅电极； 第一氧化物半导体，配置于所述第一栅电极的上方，并与所述第一绝缘膜接触； 第二氧化物半导体，配置于所述第二栅电极的上方，并与所述第一绝缘膜接触； 第二绝缘膜，覆盖所述第一氧化物半导体以及所述第二氧化物半导体； 第一源电极，与所述第二绝缘膜接触，并在所述第二绝缘膜的第一开口处与所述第一氧化物半导体接触； 第一漏电极，与所述第二绝缘膜接触，并在所述第二绝缘膜的第二开口处与所述第一氧化物半导体接触； 第二源电极，与所述第二绝缘膜接触，并在所述第二绝缘膜的第三开口处与所述第二氧化物半导体接触；以及 第二漏电极，与所述第二绝缘膜接触，并在所述第二绝缘膜的第四开口处与所述第二氧化物半导体接触， 在经由所述第二绝缘膜对所述第一氧化物半导体和所述第二氧化物半导体供给氧时，所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极、所述第二漏电极分别成为掩模， 所述第一开口与所述第二开口之间的所述第二绝缘膜和所述第一源电极的层叠体的长度大于所述第三开口与所述第四开口之间的所述第二绝缘膜和所述第二源电极的层叠体的长度， 所述第一开口与所述第二开口之间的所述第二绝缘膜和所述第一漏电极的层叠体的长度大于所述第三开口与所述第四开口之间的所述第二绝缘膜和所述第二漏电极的层叠体的长度， 所述第一氧化物半导体具有： 第一沟道区域，重叠于所述第一源电极以及所述第一漏电极的间隙；以及 第一低电阻区域，分别与所述第二绝缘膜和所述第一源电极的层叠体、以及所述第二绝缘膜和所述第一漏电极的层叠体重叠，且比所述第一沟道区域的电阻低， 所述第二氧化物半导体具有： 第二沟道区域，重叠于所述第二源电极以及所述第二漏电极的间隙；以及 第二低电阻区域，分别与所述第二绝缘膜和所述第二源电极的层叠体、以及所述第二绝缘膜和所述第二漏电极的层叠体重叠，且比所述第二沟道区域的电阻低。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社日本显示器，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。