恭喜京东方科技集团股份有限公司杨维获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948534B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111388386.4，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示基板及其制备方法、显示装置是由杨维;周天民;赵永亮;宁策;袁广才设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种显示基板及其制备方法、显示装置，在垂直于所述显示基板的平面内，所述显示基板包括在基底上依次设置的多晶硅晶体管层、第一层间绝缘层、第一阻氢层、第二缓冲层和氧化物晶体管层，其中：所述多晶硅晶体管层包括多个多晶硅晶体管的有源层和栅电极，所述氧化物晶体管层包括多个氧化物晶体管的有源层和栅电极；所述第一层间绝缘层的氢元素含量大于所述第一阻氢层的氢元素含量，或者，所述第一阻氢层的硅元素和氧元素的原子比大于所述第二缓冲层的硅元素和氧元素的原子比。本公开减小了多晶硅晶体管层中的氢元素对氧化物晶体管层的影响，确保了多晶硅晶体管和氧化物晶体管器件的稳定性。
本发明授权显示基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，在垂直于所述显示基板的平面内，所述显示基板包括在基底上依次设置的多晶硅晶体管层、第一层间绝缘层、第一阻氢层、第二缓冲层和氧化物晶体管层，其中： 所述多晶硅晶体管层包括多个多晶硅晶体管的有源层和栅电极，所述氧化物晶体管层包括多个氧化物晶体管的有源层和栅电极； 所述第一层间绝缘层的氢元素含量大于所述第一阻氢层的氢元素含量，或者，所述第一阻氢层的硅元素和氧元素的原子比大于所述第二缓冲层的硅元素和氧元素的原子比； 所述第一阻氢层包括第二层间绝缘层，其中，所述第一层间绝缘层的硅元素和氮元素的原子比大于所述第二层间绝缘层的硅元素和氮元素的原子比，且小于2倍的所述第二层间绝缘层的硅元素和氮元素的原子比。
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