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龙图腾网恭喜华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利MOSFET及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111438404.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权MOSFET及其制造方法是由刘秀勇;陈正嵘;王光华设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MOSFET，包括：衬底、第一屏蔽栅、第一栅氧化层、控制栅、第二屏蔽栅、第二栅氧化层、基极区和源区，其中，所述衬底上形成有具有U型沟槽的外延层，所述第一屏蔽栅位于U型沟槽的底部，所述控制栅位于所述第一屏蔽栅上且覆盖所述U型沟槽的上半部分侧壁；所述第二屏蔽栅填充剩余U型沟槽，其中，所述源区与所述第一屏蔽栅电性互连。本发明还提供一种MOSFET的制造方法。本申请通过将所述第一屏蔽栅与所述源区电性互连，分散位移电流，减小第一屏蔽栅和源区之间的接触电阻，提高接触电阻均匀性，提高了沿第一屏蔽栅分布的感应电势的均匀性，从而避免了非均匀电位分布引起的固定雪崩点导致电流集中的情况。

本发明授权MOSFET及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层中形成有U型沟槽； 第一屏蔽栅，所述第一屏蔽栅覆盖所述U型沟槽的底壁和下半部分的侧壁； 第一栅氧化层，所述第一栅氧化层位于所述U型沟槽中且覆盖所述第一屏蔽栅； 控制栅，所述控制栅覆盖所述U型沟槽的上半部分的侧壁并且所述控制栅在俯视视角中投影至所述第一屏蔽栅上； 第二屏蔽栅，所述第二屏蔽栅位于所述U型沟槽中且覆盖所述第一栅氧化层； 第二栅氧化层，所述第二栅氧化层位于所述U型沟槽中的所述控制栅和所述第二屏蔽栅之间； 基极区，所述基极区位于所述外延层中且位于所述U型沟槽的两侧；以及， 两个源区，所述源区分别位于各侧的所述基极区中，其中，所述源区与所述第一屏蔽栅电性互连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。