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恭喜西安理工大学屈光辉获国家专利权

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龙图腾网恭喜西安理工大学申请的专利全固态高压脉冲模块开关组获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114374380B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210035916.5,技术领域涉及:H03K17/687;该发明授权全固态高压脉冲模块开关组是由屈光辉;汪雅馨;刘园园;赵国强;庞于立设计研发完成,并于2022-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

全固态高压脉冲模块开关组在说明书摘要公布了:本发明公开的全固态高压脉冲模块开关组,包括:直流电压源模块、前级开关模块、驱动模块、扩压模块、脉冲压缩模块以及负载模块;直流电压源模块与前级开关模块的输入端连接;驱动模块与前级开关模块的控制端连接;前级开关模块的输出端与扩压模块的输入端连接;扩压模块的输出端与脉冲压缩模块的输入端连接;脉冲压缩模块的输出端与负载模块连接。该全固态高压脉冲模块开关组,具有简单易于实现、工作频率稳定的优点。

本发明授权全固态高压脉冲模块开关组在权利要求书中公布了:1.全固态高压脉冲模块开关组,其特征在于,包括:直流电压源模块(10)、前级开关模块(20)、驱动模块(30)、扩压模块(40)、脉冲压缩模块(50)以及负载模块(60); 所述驱动模块(30)为驱动器;所述负载模块(60)为负载电阻RL; 所述直流电压源模块(10)包括有直流电压源、限流电阻R1及储能电容C1; 直流电压源的Vin +端与限流电阻R1的第一端连接,直流电压源的Vin -端分别与储能电容C1的第二端、脉冲压缩模块(50)及负载电阻RL的第一端连接;限流电阻R1的第二端分别与储能电容C1的第一端及前级开关模块(20)连接; 所述前级开关模块(20)包括有动态均压电阻R2、动态均压二极管D1、动态均压电容C2、静态均压电阻R3及前级开关器件MOSFET(201); 动态均压电阻R2的第一端、动态均压二极管D1的阳极、静态均压电阻R3的第一端、前级开关器件MOSFET(201)的漏极均与限流电阻R1的第二端连接; 动态均压电阻R2的第二端分别与动态均压二极管D1的阴极、动态均压电容C2的第一端连接; 前级开关器件MOSFET(201)的源极分别和静态均压电阻R3的第二端、动态均压电容C2的第二端以及扩压模块(40)的输入端连接;前级开关器件MOSFET(201)的栅极与驱动器的输出端连接; 所述扩压模块(40)包括半导体放电管组、动态均压电阻R4、动态均压二极管D2、动态均压电容C3及静态均压电阻R5; 半导体放电管组由若干个首尾依次串联的半导体放电管组成; 或,由若干个串联结构并联组成,其中每个串联结构由若干个半导体放电管首尾串联组成; 或,由并联支路及若干个首尾依次串联的半导体放电管组成,其中并联支路由若干个串联结构并联组成,每个串联结构由若干个半导体放电管首尾串联组成; 半导体放电管组的首端分别与前级开关器件MOSFET(201)的源极、静态均压电阻R5的第一端、动态均压电阻R4的第一端以及动态均压二极管D2的阳极连接; 动态均压电阻R4的第二端分别与动态均压二极管D2的阴极以及动态均压电容C3的第一端连接; 半导体放电管组的尾端分别和静态均压电阻R5的第二端、动态均压电容C3的第二端及脉冲压缩模块(50)的输入端连接; 所述压缩模块(50)包括有储能电容C4、半导体放电管TSS0及脉冲压缩二极管(501); 储能电容C4的第一端与直流电压源的Vin -端连接,储能电容C4的第二端、半导体放电管TSS0的首端均与半导体放电管组的尾端连接;半导体放电管TSS0的尾端与脉冲压缩二极管(501)的阳极连接,脉冲压缩二极管(501)的阴极与负载电阻RL的第二端连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安理工大学,其通讯地址为:710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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