恭喜杭州光智元科技有限公司严其新获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州光智元科技有限公司申请的专利封装方法及封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114613685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210214215.8,技术领域涉及:H01L21/56;该发明授权封装方法及封装结构是由严其新;江庐山;王宏杰;吴建华;孟怀宇;沈亦晨设计研发完成,并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装方法及封装结构在说明书摘要公布了:本申请提供一种封装方法及封装结构,所述封装方法包括:提供第一芯片,所述第一芯片具有相对的第一面和第二面,所述第一芯片的第一面上具有第一区域和第二区域,所述第二区域具有光耦合接口;在所述第二区域形成保护结构,所述保护结构覆盖所述光耦合接口,所述保护结构包括层叠的第一保护层和第二保护层;使用塑封体对所述第一芯片和所述保护结构进行塑封形成塑封结构;去除覆盖于所述光耦合接口上的所述保护结构,将所述光耦合接口露出。本申请所述封装方法及封装结构,采用保护结构对光耦合接口进行封盖保护,解决了3D堆叠中塑封工艺和耦合的空间冲突的问题,同时对芯片提供了保护,具有与主流2.5D和3D堆叠工艺兼容的优点。
本发明授权封装方法及封装结构在权利要求书中公布了:1.一种封装方法,其特征在于,其包括: 提供第一芯片,所述第一芯片具有相对的第一面和第二面,所述第一芯片的第一面上具有第一区域和第二区域,所述第二区域具有光耦合接口;所述第一区域具有第二芯片,所述第二芯片具有相对的第一面和第二面; 在所述第二区域形成保护结构,所述保护结构覆盖所述光耦合接口,所述保护结构包括层叠的第一保护层和第二保护层;所述第一保护层为非有机材料层,所述第二保护层为光刻胶; 使用塑封体对所述第一芯片和所述保护结构进行塑封形成塑封结构; 去除覆盖于所述光耦合接口上的所述保护结构,将所述光耦合接口露出;所述去除覆盖于所述光耦合接口上的所述保护结构,将所述光耦合接口露出,包括: 对远离所述第一芯片一侧的所述塑封体进行减薄,所述第二芯片的第二面和所述保护结构从所述塑封体露出; 去除所述保护结构,所述塑封体位于所述第一芯片的第一面的第二区域的位置形成开口,所述光耦合接口从所述开口露出。
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