恭喜西安电子科技大学朱顺威获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210289763.7，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管是由朱顺威;贾护军;张云帆;王欢;杨银堂设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管在说明书摘要公布了：本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管，包括P型衬底，P型衬底左上方为P型缓冲层，其右上方为N型缓冲层，N型缓冲层的右上方为漏N型重掺杂区，P型衬底正上方为隔离氧化层，隔离氧化层上方为超结层，超结层左侧为P阱，所述P阱左侧为源N型重掺杂区，超结层上方设有源电极、栅电极和漏电极，超结层右侧为漏N型重掺杂区，用于使漏电极与N型缓冲层和超结P柱和超结N柱形成欧姆接触。本发明使用虚拟衬底，有效地将衬底与超结的表面电场分布趋于一致，消除了衬底辅助耗尽效应，使器件比导通电阻大大降低，击穿电压大大提高。同时能有效地防止衬底与超结间的泄漏电流，且最大输出功率大幅提高。
本发明授权一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管在权利要求书中公布了：1.一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管，其特征在于，包括P型衬底，所述P型衬底左上方为P型缓冲层，其右上方为N型缓冲层，所述N型缓冲层的右上方为漏N型重掺杂区，所述P型衬底正上方为隔离氧化层，所述隔离氧化层上方为超结层，所述超结层包含超结P柱和超结N柱，所述超结层左侧为P阱，所述P阱左侧为源N型重掺杂区，所述超结层上方设有源电极、栅电极和漏电极，所述P型缓冲层与源电极连接，所述漏N型重掺杂区与漏电极连接，所述超结层右侧为漏N型重掺杂区，用于使漏电极与N型缓冲层和超结P柱和超结N柱形成欧姆接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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