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龙图腾网恭喜佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种高稳定性倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210467157.X，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种高稳定性倒装LED芯片及其制备方法是由唐恝;旷明胜;范凯平;何俊聪;于倩倩设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高稳定性倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高稳定性倒装LED芯片的制备方法，其包括：在衬底上形成N‑GaN层、MQW层和P‑GaN层；刻蚀形成贯穿至N‑GaN层的第一孔道，继续刻蚀形成贯穿至衬底的第二孔道；依次形成电流扩展层、钝化保护层、金属反射层、金属导电层、第一绝缘层、N电极层、第二绝缘层和焊盘层，研磨减薄后劈裂，即得高稳定性倒装LED芯片。实施本发明，可提升芯片良率和稳定性。

本发明授权一种高稳定性倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高稳定性倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括： （1）提供衬底，在所述衬底上形成N-GaN层、MQW层和P-GaN层； （2）采用第一光刻胶为掩膜，刻蚀形成多个第一孔道，刻蚀后去除第一光刻胶；其中，所述第一孔道贯穿至所述N-GaN层； （3）采用第二光刻胶为掩膜，对预设区域的第一孔道进行刻蚀，形成多个第二孔道；刻蚀后去除第二光刻胶；其中，所述第二孔道贯穿至所述衬底； （4）在所述第一孔道、第二孔道、衬底、P-GaN层上形成电流扩展层； （5）采用第三光刻胶为掩膜，刻蚀去除第一孔道、第二孔道、衬底表面的电流扩展层以及P-GaN层上的预设量的电流扩展层；刻蚀后去除所述第三光刻胶； （6）在所述第一孔道、第二孔道、衬底、P-GaN层和电流扩展层上形成钝化保护层；其中，通过磁控溅射法、电子束蒸发法或PECVD法形成所述钝化保护层，所述钝化保护层由SiO2制成，所述钝化保护层的厚度为2000~5000Å； （7）采用第四光刻胶为掩膜，刻蚀去除电流扩展层上的钝化保护层；其中，所述第四光刻胶为正性光刻胶，采用湿法刻蚀去除电流扩展层上的钝化保护层，且过刻蚀5~10μm，以使金属反射层两侧与钝化保护层之间存在宽度为5~10μm的间隙，所述钝化保护层的膜层角度为20~40°； （8）采用第四光刻胶为掩膜，在所述电流扩展层上形成金属反射层，然后去除所述第四光刻胶； （9）采用第五光刻胶为掩膜，在所述金属反射层上、靠近所述金属反射层的钝化保护层上形成金属导电层，然后去除第五光刻胶；其中，所述金属导电层覆盖部分靠近所述金属反射层的钝化保护层，以使所述金属导电层与所述钝化保护层复合形成全方位反射镜结构；所述金属导电层的顶层为Pt层和或Ni层； （10）在所述钝化保护层、金属导电层上形成第一绝缘层； （11）采用第六光刻胶为掩膜，在所述第一孔道的底部形成第三孔道；然后去除第六光刻胶；其中，所述第三孔道贯穿所述第一绝缘层和钝化保护层，暴露出所述N-GaN层； （12）采用第七光刻胶为掩膜，在所述第一孔道以及所述第一绝缘层的预设位置形成N电极层，然后去除第七光刻胶； （13）在所述N电极层、第一绝缘层上形成第二绝缘层； （14）采用第八光刻胶为掩膜，形成第四孔道和第五孔道，然后去除第八光刻胶；所述第四孔道贯穿至所述N电极层，所述第五孔道贯穿至所述金属导电层； （15）采用第九光刻胶为掩膜，在所述第四孔道、第五孔道内形成焊盘层，然后去除第九光刻胶； （16）研磨减薄所述衬底，沿所述第二孔道劈裂，即得到高稳定性的倒装LED芯片成品。

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