恭喜上海华力集成电路制造有限公司施灵聪获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利FinFET漏端电流和栅极电压的模拟计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115081196B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210639208.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权FinFET漏端电流和栅极电压的模拟计算方法是由施灵聪设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本FinFET漏端电流和栅极电压的模拟计算方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法中，包括：判断FinFET是否为具有非垂直壁鳍片的三栅FinFET；如果是，则获取一个垂直壁鳍片的三栅FinFET或一个环绕栅FinFET与若干个双栅FinFET并联的仿真电路图；对仿真电路图进行仿真，包括：调试双栅FinFET的拟合参数，调试垂直壁鳍片的三栅FinFET的拟合参数或者环绕栅FinFET的拟合参数，使得输出的拟合曲线与非垂直壁鳍片的三栅FinFET实际的漏端电流与栅极电压的曲线接近。本发明可以使得漏端电流和栅极电压的拟合曲线与实际的FinFET的漏端电流和栅极电压的曲线更接近。
本发明授权FinFET漏端电流和栅极电压的模拟计算方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，包括： 判断待模拟的FinFET是否为具有非垂直壁鳍片的三栅FinFET； 如果为非垂直壁鳍片的三栅FinFET，则获取一个垂直壁鳍片的三栅FinFET与若干个双栅FinFET并联的仿真电路图或一个环绕栅FinFET与若干个双栅FinFET并联的仿真电路图；以及 对所述仿真电路图进行仿真，包括：调试双栅FinFET的拟合参数，同时，调试垂直壁鳍片的三栅FinFET的拟合参数或者环绕栅FinFET的拟合参数，使得输出的拟合曲线与非垂直壁鳍片的三栅FinFET实际的漏端电流与栅极电压的曲线接近。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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