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龙图腾网恭喜深圳氮芯科技有限公司申请的专利一种增强型氮化镓异质结场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513293B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211247265.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种增强型氮化镓异质结场效应晶体管是由刘勇;罗鹏设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型氮化镓异质结场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种增强型氮化镓异质结场效应晶体管，栅极与势垒层之间设置有连接单元，连接单元包括第一氮化镓层、第二氮化镓层、第三氮化镓层和第四氮化镓层，第一氮化镓层至第四氮化镓层从上至下依次设置，第一氮化镓层与栅极连接，第四氮化镓层与势垒层连接。器件正向栅极耐压时，第一氮化镓层、第二氮化镓层和第三氮化镓层组成的n‑i‑p二极管反偏，此时电场峰值分布在第二氮化镓层内。由于第三氮化镓层、第四氮化镓层和势垒层组成的p‑i‑n二极管的耐压能力也高于PN结二极管，因此该器件结构同时具有更高的反向栅极击穿电压。

本发明授权一种增强型氮化镓异质结场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种增强型氮化镓异质结场效应晶体管，包括从下至上依次设置的衬底101、成核层102、缓冲层103和势垒层104，位于势垒层104的上方分别设置有源极105、漏极111和栅极110，其特征在于，所述栅极110与所述势垒层104之间设置有连接单元，所述连接单元包括第一氮化镓层109、第二氮化镓层108、第三氮化镓层107和第四氮化镓层106，所述第一氮化镓层109至第四氮化镓层106从上至下依次设置，所述第一氮化镓层109与所述栅极110连接，所述第四氮化镓层106与所述势垒层104连接； 所述第一氮化镓层109为n型掺杂氮化镓层，所述第三氮化镓层107为p型掺杂氮化镓层，所述第二氮化镓层108和第四氮化镓层106为非故意掺杂氮化镓层； 第一氮化镓层109的掺杂浓度为1e16cm-3～1e20cm-3，所述第三氮化镓层107的掺杂浓度为1e19cm-3～3e19cm-3。

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