恭喜浙江正泰电器股份有限公司章海明获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江正泰电器股份有限公司申请的专利叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115498048B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211275967.1,技术领域涉及:H10F77/30;该发明授权叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池是由章海明;黄辉忠;王景凯设计研发完成,并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池,叠瓦组件包括至少两个电池片,相邻的两个电池片部分交叠并形成交叠区域,电池片包括衬底、第一隧穿层、第一掺杂多晶硅层和第一主栅,第一隧穿层设于衬底的第一表面,第一表面为受光面,第一掺杂多晶硅层设于第一隧穿层的背离衬底的一侧,第一主栅设于第一掺杂多晶硅层的背离第一隧穿层的一侧;在相邻的两个电池片中,位于下方的电池片的第一隧穿层、第一掺杂多晶硅层和第一主栅设于交叠区域。
本发明授权叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池在权利要求书中公布了:1.一种叠瓦组件,其特征在于,包括至少两个电池片,相邻的两个所述电池片部分交叠并形成交叠区域,所述电池片包括: 衬底,具有第一表面,所述第一表面为受光面;还具有第二表面,所述第一表面和所述第二表面位于所述衬底的相对两侧; 第一隧穿层,设于所述第一表面的局部; 第一掺杂多晶硅层,设于所述第一隧穿层的背离所述衬底的一侧;以及 第一主栅,设于所述第一掺杂多晶硅层的背离所述第一隧穿层的一侧; 其中,在相邻的两个所述电池片中,位于下方的所述电池片的所述第一隧穿层、所述第一掺杂多晶硅层和所述第一主栅设于所述交叠区域; 第二隧穿层,设于所述第二表面; 第二掺杂多晶硅层,设于所述第二隧穿层的背离所述衬底的一侧; 第二主栅,设于所述第二掺杂多晶硅层的背离所述第二隧穿层的一侧; 导电胶,在相邻的两个所述电池片中,位于上方的所述电池片的第二主栅设于所述交叠区域中,位于下方的所述电池片的第一主栅通过所述导电胶和位于上方的所述电池片的第二主栅在所述交叠区域重叠并电性连接; 第一钝化层,覆盖于所述第一表面和所述第一掺杂多晶硅层上,所述第一钝化层设有第一凹槽和第一通孔; 所述第一主栅覆盖于所述第一凹槽内,所述第一主栅通过所述第一凹槽与所述第一掺杂多晶硅层接触; 所述导电胶覆盖于所述第一通孔。
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