西安理工大学王娟娟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117285347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311238085.2，技术领域涉及：C04B35/475；该发明授权低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法是由王娟娟;马鹏康;段学良;赖福生;陈明阳设计研发完成，并于2023-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开的低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料，化学组成通式为1‑xBi0.5Na0.5Ti03‑BaTiO3‑xCa0.5TaO3，其中x为0.01～0.15；本发明的低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料的制备方法，步骤如下：按照化学组成通式的化学计量比进行配料，依次进行一次球磨、一次干燥、预烧、二次球磨、二次干燥、过筛、压片、冷等静压和烧结，得到低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料。本发明的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法，在基体中引入第三组元，晶粒尺寸小，剩余极化强度低，低电场下具有极高的储能密度；采用冷等静压技术，节省成本，坯体密度高且均匀，坯体内应力小；对环境友好。
本发明授权低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.低电场下高储能密度的钛酸铋钠基陶瓷材料，其特征在于，化学组成通式为1-xBi0.5Na0.5Ti03-BaTiO3-xCa0.5TaO3，其中x的取值为0.01～0.15。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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