重庆云潼科技有限公司蔡政坤获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种集成温度检测部件的SGT器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117766536B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311803588.X，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种集成温度检测部件的SGT器件及制造方法是由蔡政坤;肖月桃;廖光朝设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成温度检测部件的SGT器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种集成温度检测部件的SGT器件，该器件包括：设置在外延片上的SGT部件和温度检测部件；温度检测部件包括第一掺杂区、第二掺杂区、阳极接触孔、阴极接触孔和介质层；第一掺杂区在外延片之上，介质层在第一掺杂区之上；第二掺杂区在第一掺杂区的指定区域中，与介质层相接触；阳极接触孔穿过介质层，与第一掺杂区相接触；阴极接触孔穿过介质层，与指定区域对应设置，与第二掺杂区相接触；阳极接触孔的深度大于介质层的厚度和第二掺杂区的厚度之和，且小于介质层的厚度和第一掺杂区的厚度之和；阴极接触孔的深度小于介质层的厚度和第二掺杂区的厚度之和，不小于介质层的厚度。该器件提高自身使用效率。
本发明授权一种集成温度检测部件的SGT器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成温度检测部件的SGT器件，其特征在于，包括：外延片，以及设置在所述外延片上的SGT部件和温度检测部件； 所述温度检测部件包括第一掺杂区、第二掺杂区、阳极接触孔、阴极接触孔和介质层；所述第一掺杂区位于所述外延片之上，所述介质层位于所述第一掺杂区之上；所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区的指定区域中，且与所述介质层相接触；所述阳极接触孔穿过所述介质层，且与所述第一掺杂区相接触；所述阴极接触孔穿过所述介质层，与所述指定区域对应设置，且与所述第二掺杂区相接触； 其中，所述阳极接触孔的深度大于所述介质层的厚度和所述第二掺杂区的厚度之和，且小于所述介质层的厚度和所述第一掺杂区的厚度之和； 所述阴极接触孔的深度小于所述介质层的厚度和所述第二掺杂区的厚度之和，且不小于所述介质层的厚度； 所述温度检测部件的阳极与所述SGT部件的漏极等电位。
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