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龙图腾网获悉郑州大学申请的专利一种SrHfS₃掺Eu发光薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118062883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410178950.7，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种SrHfS₃掺Eu发光薄膜及其制备方法是由韩炎兵;方娇;梁雨润;袁亦方;张晴;史志锋设计研发完成，并于2024-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SrHfS₃掺Eu发光薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管器件中的发光薄膜领域，硫化物钙钛矿虽然具有高稳定性、良好导电性、适宜稀土发光离子掺杂而发光等优势，但是存在稀土掺杂的硫化物钙钛矿薄膜制备困难等问题。本发明公开了一种SrHfS3掺Eu发光薄膜及其制备方法，包括以下步骤：通过硫化获得EuS粉末，烧结为EuS靶材；基于SrHfO3靶材和EuS靶材进行共溅射获得前驱体薄膜；对前驱体薄膜进行硫化处理获得SrHfS3掺Eu薄膜。本制备方法操作简单，利用还原性气氛获得了二价Eu离子，借助溅射优势实现了Eu离子在硫化物钙钛矿中的高效掺杂。所获得的SrHfS3掺Eu发光薄膜展现出良好的结晶性和发光特性，有希望作为发光层应用于新型发光二极管器件。

本发明授权一种SrHfS₃掺Eu发光薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SrHfS3掺Eu发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.对Eu2O3原材料粉末进行硫化获得EuS粉末； 其特征在于，步骤S1中，将Eu2O3粉末放到石英舟中，放入管式炉中，使用机械泵对管式炉进行抽真空至0.1Pa以下，通入二硫化碳后进行硫化处理，炉内压强保持为30Pa，硫化温度为1000℃，降至室温后获得EuS粉末； S2.对EuS粉末进行压片烧结获得EuS靶材； 其特征在于，步骤S2中，使用聚乙烯醇和EuS粉末进行研磨混合，放入50mm直径的压片模具中，在24吨压力下进行冷压，卸压后获得EuS圆片，在1100℃进行真空烧结1小时，降至室温后获得EuS靶材； S3.基于SrHfO3靶材和EuS靶材，通过磁控溅射沉积获得前驱体薄膜； 其特征在于，步骤S3中，将SrHfO3靶材和EuS靶材放入溅射腔内，使用石英作为基板，将磁控溅射系统本底真空抽至低于0.001Pa，溅射工作气体为氩气，氩气流量为20SCCM，溅射压强为1Pa，溅射时间为2h，SrHfO3溅射枪的功率为60W，EuS溅射枪的功率为20W，溅射结束后即获得SrHfS3掺Eu前驱体薄膜； S4.对前驱体薄膜进行硫化处理得到SrHfS3掺Eu薄膜； 其特征在于，步骤S4中，将步骤S3中获得的SrHfS3掺Eu前驱体薄膜放入管式炉中，使用机械泵抽至本底真空，通入硫化气体进行硫化，设置管式炉升温至硫化温度并保温，然后降至室温后获得SrHfS3掺Eu发光薄膜； 其特征在于，步骤S4中，所述本底真空应低于0.1Pa，通入硫化气体后炉内压强为30Pa，所述硫化温度为1000-1050℃； 其特征在于，步骤S4中，硫化气体为二硫化碳气体和硫化氢气体中的一种。

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