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龙图腾网获悉南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请的专利一种基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118214406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410411936.7，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权一种基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路是由姚佳飞;蒋正飞;张益欣;代玙璇;胡子伟;郭宇锋;蔡志匡;张珺;李曼;杨可萌;陈静;张茂林设计研发完成，并于2024-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于可控栅极电流的SiCMOSFET有源栅极驱动电路，针对双脉冲测试电路（8）中所包含的待测试SiCMOSFETU1，基于依次经驱动电压提供电路（1）、电流转换电路（2）提供驱动电流至电流推挽放大电路（3），并结合可控电流过冲抑制电路（4）检测产生可控的电流过冲抑制电流，以及电压过冲抑制电路（5）检测产生电压过冲抑制电流，由电流推挽放大电路（3）放大驱动电流，对待测试SiCMOSFETU1实现驱动；设计方案实现可控的栅极电流控制，从而在待测试SiCMOSFETU1开关过程中，有序的开启和关断，更加有效的抑制电流电压过冲现象。

本发明授权一种基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种基于可控栅极电流的SiCMOSFET有源栅极驱动电路，用于针对双脉冲测试电路8中所包含的待测试SiCMOSFETU1实现驱动，其特征在于：包括驱动电压提供电路1、电流转换电路2、电流推挽放大电路3、可控电流过冲抑制电路4、电压过冲抑制电路5、RC微分采样电路6； 其中，可控电流过冲抑制电路4的输入端与双脉冲测试电路8中待测试SiCMOSFETU1的源极相连，可控电流过冲抑制电路4的输出端与电流推挽放大电路3的输出端相连汇聚，由可控电流过冲抑制电路4检测待测试SiCMOSFETU1的源极的电压Vss，并产生可控的电流过冲抑制电流与电流推挽放大电路3的输出进行汇聚； RC微分采样电路6的输入端与双脉冲测试电路8中待测试SiCMOSFETU1的漏极相连，RC微分采样电路6的输出端与电压过冲抑制电路5的输入端相连，电压过冲抑制电路5的输出端与电流推挽放大电路3的输出端相连汇聚，由控制电压过冲抑制电路5接收来自RC微分采样电路6输出的采样信号Vf，并产生电压过冲抑制电流与电流推挽放大电路3的输出进行汇聚； 电流转换电路2的输入端与驱动电压提供电路1的输出端相连接，由电流转换电路2将驱动电压提供电路1输出的驱动电压转化成驱动电流进行输出，电流转换电路2的输出端与推挽电流放大电路3的输入端相连，由推挽电流放大电路3对电流转换电路2输出的驱动电流进行放大、并提高其负载能力；推挽电流放大电路3的输出端对接双脉冲测试电路8中待测试SiCMOSFETU1的栅极。

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