上海馨欧集成微电有限公司吴进波获国家专利权
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龙图腾网获悉上海馨欧集成微电有限公司申请的专利一种声波谐振器、声波滤波器及通信设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119030491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411028976.X，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种声波谐振器、声波滤波器及通信设备是由吴进波;张丽萍设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种声波谐振器、声波滤波器及通信设备在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种声波谐振器、声波滤波器及通信设备。该声波谐振器包括压电薄膜，以及位于所述压电薄膜上的顶电极和两个反射栅；所述顶电极的两侧分别设有一个所述反射栅；所述顶电极为叉指电极；所述叉指电极包括多个电极指，且多个所述电极指的延伸方向与所述声波谐振器的声波传播方向垂直；其中，所述压电薄膜上设有导电区，所述导电区位于所述反射栅的相邻反射条之间的区域。从而可以使得相应压电薄膜表面的边界条件由开路变为短路，声速降低，可以在不影响主模的前提下使得纵向高阶模式部分泄露到谐振器外部，大幅削弱纵向高阶模式的强度。
本发明授权一种声波谐振器、声波滤波器及通信设备在权利要求书中公布了：1.一种声波谐振器，其特征在于，至少包括： 压电薄膜； 以及位于所述压电薄膜上的顶电极和两个反射栅；所述顶电极的两侧分别设有一个所述反射栅；所述反射栅包括多个反射条；所述顶电极为叉指电极；所述叉指电极包括多个电极指，且多个所述电极指的延伸方向与所述声波谐振器的声波传播方向垂直； 其中，所述压电薄膜上设有导电区，所述导电区是通过对压电薄膜的表面进行掺杂或沉积形成的；所述导电区位于所述反射栅的相邻反射条之间的区域，所述导电区还位于所述反射栅的反射条在压电薄膜上的正投影区域，和或位于所述反射栅的反射条在压电薄膜上的部分正投影区域，和或位于所述反射栅的汇流条在压电薄膜上的正投影区域； 所述导电区的面积大于或者等于1％的所述多个反射条中所有相邻反射条之间的区域的面积之和；所述导电区的厚度不超过0.1倍的反射条的厚度。
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