大庆溢泰半导体材料有限公司袁韶阳获国家专利权
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龙图腾网获悉大庆溢泰半导体材料有限公司申请的专利一种用于磷化铟单晶的脱模装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222990275U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421823782.4，技术领域涉及：C30B11/00；该实用新型一种用于磷化铟单晶的脱模装置是由袁韶阳;冯佳峰;于会永;赵中阳;赵春锋;张艳辉设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于磷化铟单晶的脱模装置在说明书摘要公布了：一种用于磷化铟单晶的脱模装置，涉及磷化铟生产设备技术领域，包括单晶生长后的装有磷化铟晶体和覆盖剂的坩埚、加热水槽、脱模槽、吊架、吊架升降器和超声波震板；所述的盛装有磷化铟晶体的坩埚开口朝下置于脱模槽中，脱模槽内盛有去离子水，去离子水的高度没过于整个坩埚，吊架的下端与坩埚固定连接，吊架的上端与吊架升降器固定连接，从而吊架升降器的升降带动坩埚的升降，超声波震板放置于脱模槽的最底部，超声波震板与磷化铟晶体不接触；所述的脱模槽位于加热水槽内。本实用新型利用晶体、氮化硼坩埚以及覆盖剂的一些物理性质，通过特殊的去除覆盖剂的方法，可保护晶体并且不损害坩埚，使坩埚可以重复利用。
本实用新型一种用于磷化铟单晶的脱模装置在权利要求书中公布了：1.一种用于磷化铟单晶的脱模装置，包括单晶生长后的装有磷化铟晶体和覆盖剂的坩埚（10），其特征在于：所述的用于磷化铟单晶的脱模装置还包括水浴加热系统、脱模槽（3）、吊架（4）、吊架升降器（5）和超声波震板（8）；盛装有磷化铟晶体的所述的坩埚（10）开口朝下置于脱模槽（3）中，脱模槽（3）内盛有去离子水，去离子水的高度没过于整个坩埚（10），吊架（4）的下端与坩埚（10）固定连接，吊架（4）的上端与吊架升降器（5）固定连接，从而吊架升降器（5）的升降带动坩埚（10）的升降，超声波震板（8）放置于脱模槽（3）的最底部，超声波震板（8）与磷化铟晶体不接触；所述的水浴加热系统包括加热水槽（1），所述的脱模槽（3）位于加热水槽（1）内。
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