北京昶星科技有限公司刘惠山获国家专利权
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龙图腾网获悉北京昶星科技有限公司申请的专利一种MEMS继电器、控制电路及功率设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170456B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411120998.9，技术领域涉及：H01H50/44；该发明授权一种MEMS继电器、控制电路及功率设备是由刘惠山;刘伟民设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS继电器、控制电路及功率设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种MEMS继电器、控制电路及功率设备，包括基片；螺旋线圈和磁条，螺旋线圈的轴向与基片平行，螺旋线圈在磁条的长度方向绕磁条的外侧螺旋缠绕；第一磁性结构，第一磁性结构设于基片上，且与磁条的其中一端对应设置，第一磁性结构和磁条的端部具有间隙，第一磁性结构和磁条用于控制受控电路。本申请中，磁条并非是一端通过锚固定于基片上，另一端绕锚旋转，而是整体悬浮于螺旋线圈内部，并沿磁条轴向微量运动，不存在锚点，从而避免了长时间使用后锚点松动的问题。
本发明授权一种MEMS继电器、控制电路及功率设备在权利要求书中公布了：1.一种MEMS继电器，其特征在于，包括： 基片； 螺旋线圈和磁条，所述螺旋线圈的两端用于连接控制电源，所述控制电源用于控制所述螺旋线圈中电流的方向，所述螺旋线圈设于所述基片上，所述螺旋线圈的轴向与所述基片承载所述螺旋线圈的表面平行，所述螺旋线圈在所述磁条的长度方向绕所述磁条的外侧螺旋缠绕； 第一磁性结构，所述第一磁性结构设于所述基片上，且与所述磁条的其中一端对应设置，所述第一磁性结构和所述磁条的端部具有间隙，所述第一磁性结构和所述磁条用于控制受控电路； 所述螺旋线圈的螺旋路径通过硅通孔技术制得； 所述螺旋线圈为三维立体状的螺旋结构； 所述螺旋线圈为多层结构，在每一层均形成多个方孔和条形孔； 每一层中的方孔堆叠后形成所述螺旋线圈的螺旋路径，每一层的条形孔堆叠后形成供所述磁条穿过的空间。
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