广东天域半导体股份有限公司鲍勇年获国家专利权
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龙图腾网获悉广东天域半导体股份有限公司申请的专利碳化硅外延用石墨件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222990281U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422011781.6，技术领域涉及：C30B25/08；该实用新型碳化硅外延用石墨件是由鲍勇年;李迅;李锡光设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅外延用石墨件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种碳化硅外延用石墨件，包括上半月座、下半月座以及分别连接所述上半月座和所述下半月座两侧的两连接侧部，所述上半月座、所述下半月座以及所述连接侧部为一体式结构，所述上半月座包括上弧形部以及连接所述上弧形部两侧的上连接板，所述下半月座包括下弧形部以及连接所述下弧形部两侧的下连接板，所述上连接板、所述下连接板以及两所述连接侧部形成反应腔。本实用新型通过一体式结构的石墨件的设置，减少装配时的差异，保证石墨件的结构在寿命周期的同一性，降低装配差异造成的不良；同时，石墨件可以整体拆出清洁，保证了清洁效果，有利于提高每次维护后的反应炉膛洁净度，减少晶片由于炉膛洁净度不够而产生缺陷的情况。
本实用新型碳化硅外延用石墨件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延用石墨件，其特征在于，包括上半月座、下半月座以及分别连接所述上半月座和所述下半月座两侧的两连接侧部，所述上半月座、所述下半月座以及所述连接侧部为一体式结构，所述上半月座包括上弧形部以及连接所述上弧形部两侧的上连接板，所述下半月座包括下弧形部以及连接所述下弧形部两侧的下连接板，所述上连接板、所述下连接板以及两所述连接侧部形成反应腔。
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