西华大学;四川六方钰成电子科技有限公司万维财获国家专利权
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龙图腾网获悉西华大学;四川六方钰成电子科技有限公司申请的专利氧化锆、碳化硅晶须复合氧化铝陶瓷基板材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119059804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411172450.9，技术领域涉及：C04B35/117；该发明授权氧化锆、碳化硅晶须复合氧化铝陶瓷基板材料及制备方法是由万维财;宋久鹏;张云;刘薇;周琪果;文红尊;刘志辉;刘励扬设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化锆、碳化硅晶须复合氧化铝陶瓷基板材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及陶瓷材料领域，具体涉及氧化锆、碳化硅晶须复合氧化铝陶瓷基板材料及制备方法；通过在氧化铝陶瓷材料中引入经表面改性的不同长度的ZrO2和SiC晶须，通过晶须表面活化处理，可以在不恶化氧化铝陶瓷基板表面粗糙度、流延成型性能、烧结变形率、烧结致密性等的情况下，显著提升氧化铝基板材料强度和韧性，有效抑制裂纹扩展，从而提高氧化铝陶瓷可靠性。
本发明授权氧化锆、碳化硅晶须复合氧化铝陶瓷基板材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化锆、碳化硅晶须复合氧化铝陶瓷基板材料的制备方法，包括晶须预处理、混料、除泡、成型、排胶、烧结步骤，其中，晶须预处理为：将SiC晶须、ZrO2晶须酸浸后置于聚甲基丙烯酸甲酯-三氯甲烷溶液中超声处理，再经三乙基己基磷酸和十二烷基硫酸钠液超声活化处理得到； 其中，所述SiC晶须直径为0.1-0.3μm，长度为5-30μm，ZrO2晶须直径为0.1-0.3μm，长度为50-150μm；所述SiC晶须的添加量为陶瓷原料的0.5-2wt％，ZrO2晶须的添加量为陶瓷原料的0.5-3wt％； 所述混料中，包括： SiC晶须和ZrO2晶须、氧化铝粉末、 烧结助剂：包括CaO粉末、SiO2粉末、MgO粉末和Y2O3粉末； 添加剂：包括TiO2粉末和V2O5粉末；以及 溶剂：包括乙酸乙酯，乙酸丁酯，丙酮和无水乙醇； 分散剂；包括三油酸甘油酯，蓖麻油和聚甲基丙烯酸； 粘接剂：聚乙烯醇缩丁醛； 增塑剂：邻苯二甲酸二丁酯；其中， 所述氧化铝粉末的粒径为0.5-1.5μm，所述CaO粉末、SiO2粉末、MgO粉末、Y2O3粉末、TiO2粉末和V2O5粉末的粒径为100-300nm。
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