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龙图腾网获悉浙江芯晟半导体科技有限责任公司申请的专利一种便于冷却的物理气相沉积装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222990199U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422096696.4，技术领域涉及：C23C14/50；该实用新型一种便于冷却的物理气相沉积装置是由靳安安;弓冰;苏忠州设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种便于冷却的物理气相沉积装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种便于冷却的物理气相沉积装置，至少包括：转运腔体，转运腔体为中空的多棱柱，具有多个侧面，每个所述转运腔体的侧面设置有对应的至少一个输送通道；第一工艺腔体，位于转运腔体的第一侧面的外侧，通过输送通道与转运腔体的第一侧面连接；第一冷却腔体，位于转运腔体的第三侧面的外侧，通过输送通道与转运腔体的第三侧面连接；冷却腔体内部设置有冷却装置；第二工艺腔体，通过输送通道与转运腔体的第二侧面连接；第二冷却腔体，位于转运腔体的第四侧面的外侧；冷却腔体内部设置有冷却装置。本实用新型提供的便于冷却的物理气相沉积装置能防止晶圆被粘附在载片台上，降低晶圆粘附的几率，进而降低晶圆的破片率。

本实用新型一种便于冷却的物理气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种便于冷却的物理气相沉积装置，用于进行含铝金属在半导体基体上的物理气相沉积，其特征在于，至少包括： 转运腔体，所述转运腔体为中空的多棱柱，具有多个侧面，每个所述转运腔体的侧面设置有对应的至少一个输送通道； 第一工艺腔体，位于所述转运腔体的第一侧面的外侧，通过所述输送通道与所述转运腔体的第一侧面连接；所述第一工艺腔体适于进行第一沉积步骤，以在所述半导体基体上初步沉积含铝金属； 第一冷却腔体，位于所述转运腔体的第三侧面的外侧，通过所述输送通道与所述转运腔体的第三侧面连接；所述第一冷却腔体内部设置有冷却装置；所述第一冷却腔体适于在初步沉积后，对所述半导体基体进行第一冷却步骤，以使所述半导体基体温度降低至室温； 第二工艺腔体，位于所述转运腔体的第二侧面的外侧，通过所述输送通道与所述转运腔体的第二侧面连接；所述第一工艺腔体适于进行第二沉积步骤，以在所述半导体基体上二次沉积含铝金属； 第二冷却腔体，位于所述转运腔体的第四侧面的外侧，通过所述输送通道与所述转运腔体的第四侧面连接；所述第二冷却腔体内部设置有冷却装置；所述第二冷却腔体适于在二次沉积后，对所述半导体基体进行第二冷却步骤，以使所述半导体基体温度降低至室温。

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