香港科技大学(广州)陈子强获国家专利权
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龙图腾网获悉香港科技大学(广州)申请的专利P型氧化镓和P型氧化镓的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119082869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411194989.4，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权P型氧化镓和P型氧化镓的制备方法是由陈子强;廖逸民设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本P型氧化镓和P型氧化镓的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种P型氧化镓和P型氧化镓的制备方法。P型氧化镓的制备方法包括提供基底，基底的材质包括β‑氧化镓，在基底上形成浅能级受主杂质和深能级受主杂质的共掺杂。其中，浅能级受主杂质与氧为同族元素。当深能级受主杂质与浅能级受主杂质共同掺杂时，深能级受主杂质的深能级受主可以与浅能级受主杂质的受主能级结合，进一步将费米能级推向价带顶，这种结合效应显著提升了β‑氧化镓P型导电的稳定性。
本发明授权P型氧化镓和P型氧化镓的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种P型氧化镓的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底的材质包括β-氧化镓； 在所述基底上形成浅能级受主杂质和深能级受主杂质的共掺杂； 其中，所述浅能级受主杂质与氧为同族元素； 所述在所述基底上形成浅能级受主杂质和深能级受主杂质的共掺杂，具体包括：采用离子注入的方式在所述基底上形成浅能级受主杂质和深能级受主杂质的共掺杂； 所述浅能级受主杂质的离子注入能量为ckv，所述深能级受主杂质的离子注入能量为dkv，c与d的比值为2-3，浅能级受主杂质和深能级受主杂质在基底中达到大致相同的预设深度。
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