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龙图腾网获悉东北师范大学申请的专利一种基于忆阻器的类脑神经形态电路架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119204120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411262986.X，技术领域涉及：G06N3/06；该发明授权一种基于忆阻器的类脑神经形态电路架构是由王中强;侯壮;陶冶;徐海阳;刘益春设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于忆阻器的类脑神经形态电路架构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于忆阻器的类脑神经形态电路架构，包括若干个运算放大器、若干个电阻、与具有行列结构的若干个类脑神经网络电路系统单元；类脑神经网络电路系统单元包括电压源、忆阻器、NMOS管；电压源用于为类脑神经形态电路架构提供输入；NMOS管用于调控忆阻器所代表的突触权值的正负；类脑神经形态电路架构的最后一行类脑神经网络电路系统单元连接有运算器和电阻，运算放大器之间连接有电阻。本发明通过改进的忆阻器模型更好的表现出了金属氧化物忆阻器的电学行为，而基于这种忆阻器模型搭建的类脑神经形态电路架构与其他传统架构相比，极大的缩小了电路架构规模，减小了系统运行的能量损耗，并且极大缩减了实体上的成本问题。

本发明授权一种基于忆阻器的类脑神经形态电路架构在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻器的类脑神经形态电路架构，其特征在于，包括若干个运算放大器、若干个电阻、与具有行列结构的若干个类脑神经网络电路系统单元；所述类脑神经网络电路系统单元包括电压源、忆阻器、NMOS管；忆阻器具有阈值电压和初始阻值； 所述电压源用于为类脑神经形态电路架构提供输入； 所述NMOS管用于调控忆阻器所代表的突触权值的正负； 类脑神经形态电路架构的最后一行类脑神经网络电路系统单元连接有运算器和电阻，运算放大器之间连接有电阻； 所述类脑神经网络电路系统单元包括两个电压源、忆阻器、两个NMOS管； 所述忆阻器的TE端与单个电压源的输出端连接，所述忆阻器的BE端与两个NMOS管的源极分别连接，两个NMOS管的栅极与另一个电压源连接； 两个NMOS管的漏极分别与下一行类脑神经网络电路系统单元中不同NMOS管的漏极连接，最后一行类脑神经网络电路系统单元连接有运算器和电阻； 所述运算放大器分为正权值放大器与负权值放大器，所述正权值放大器的反相输入端与控制忆阻器权值为正的NMOS管的漏极连接，所述负权值放大器的反相输入端与控制忆阻器权值为负的NMOS管的漏极连接，所述正权值放大器的正负极电源输入端分别与电压源的正极和另一个电压源的负极同相连接，所述负权值放大器的正负极电源输入端分别与电压源的正极和另一个电压源的负极同相连接，两个电压源为连接关系； 每行类脑神经网络电路系统单元中忆阻器连接同一个电压源。

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