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龙图腾网获悉青岛华芯晶电科技有限公司;青岛芯康半导体科技有限公司申请的专利氧化镓晶体微观缺陷及掺杂调控系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119221125B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411397013.7，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权氧化镓晶体微观缺陷及掺杂调控系统及方法是由肖迪;肖燕青;郑东;赵俊竹;戴磊设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓晶体微观缺陷及掺杂调控系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了氧化镓晶体微观缺陷及掺杂调控系统及方法，属于氧化镓晶体调节控制技术领域，其方法具体包括：使用化学气相沉积或分子束外延方法在特定温度条件下生长氧化镓晶体，得到氧化镓晶体，对氧化镓晶体的微观缺陷进行数学建模，分析氧化镓晶体中的微观缺陷，并进行调控，分析氧化镓晶体中的掺杂浓度和分布，氧化镓晶体中的掺杂进行调控，对调控后的氧化镓晶体性能的优化进行验证，本发明通过生长控制和后续处理技术，有效减少氧化镓晶体中的位错、空位等微观缺陷，实现氧化镓晶体微观缺陷及电学性能的精准调控，能够显著提升基于氧化镓的质量和性能。

本发明授权氧化镓晶体微观缺陷及掺杂调控系统及方法在权利要求书中公布了：1.氧化镓晶体微观缺陷及掺杂调控方法，其特征在于，包括： 使用化学气相沉积或分子束外延方法在特定温度条件下生长氧化镓晶体，得到氧化镓晶体； 对氧化镓晶体的微观缺陷进行数学建模，分析氧化镓晶体中的微观缺陷，并进行调控； 分析氧化镓晶体中的掺杂浓度和分布，氧化镓晶体中的掺杂进行调控； 对调控后的氧化镓晶体性能的优化进行验证； 所述对氧化镓晶体的微观缺陷进行数学建模，分析氧化镓晶体中的微观缺陷，并进行调控，包括： 计算氧化镓晶体的缺陷密度，计算公式为： ， 其中，NdT,P,F表示氧化镓晶体的缺陷密度，T表示氧化镓晶体的生长温度，P表示氧化镓晶体的生长压力，Vg表示氧化镓晶体生长过程中的气体流速，Ea表示活化能，kB表示玻尔兹曼常数，k和表示比例常数，exp表示指数函数； 建立微观缺陷形成的动力学模型，分析掺杂剂在晶体中的扩散行为，具体公式为： ， 其中，Co,t表示时刻t时位置点o出的掺杂剂浓度，位置点o的坐标为xo,yo,zo，D表示掺杂剂在氧化镓晶体中的扩散系数，o表示氧化镓晶体中的o位置点，t表示时间，表示求偏导符号； 对生长后的氧化镓晶体进行退火处理，通过控制退火温度、时间和气体流速，降低晶体中的氧空位和晶界缺陷，缺陷生成率的反馈调控具体公式为： ， 其中，Rd表示缺陷生成率的反馈调控，△T、△P和△Vg分别表示温度、压力和气体流速的微小调节量； 计算修复后的缺陷密度，具体公式为： ， 其中，Nf表示氧化镓晶体修复后的缺陷密度，Qa表示退火过程中的激活能，ta表示退火时间，Ta表示退火温度； 所述分析氧化镓晶体中的掺杂浓度和分布，氧化镓晶体中的掺杂进行调控，包括： 采用n型掺杂和p型掺杂分别进行电子和空穴的引入； 对氧化镓晶体中的掺杂进行动态调控，具体公式为： ， 其中，表示氧化镓晶体中的掺杂浓度，C0表示掺杂浓度峰值，x0,y0,z0表示掺杂中心位置，表示掺杂分布宽度参数。

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