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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119337449B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411451633.4，技术领域涉及：G06F30/10；该发明授权导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法是由李早阳;王君岚;杨垚;罗金平;刘立军设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法，本发明实施例通过从目标计算域中确定目标结晶界面，并对目标计算域进行稳态计算，得到目标结晶界面所在的温度场；根据温度场，确定目标结晶界面对应的目标函数；计算目标函数在三维直角坐标系的坐标轴方向上的方向导数；根据目标网格面在三维直角坐标系下的三维坐标和方向导数，确定目标网格面的温度变化因子；根据各个目标网格面的温度变化因子，确定目标结晶界面的变形程度。本发明实施例将各个目标网格面的温度变化因子作为判定依据来确定目标结晶界面的变形程度，不依赖观察人员的主观判断，提高了确定结晶界面变形程度的准确度和自动化程度。

本发明授权导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法在权利要求书中公布了：1.一种导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法，其特征在于，所述方法包括： 从目标计算域中确定目标结晶界面，并对所述目标计算域进行稳态计算，得到所述目标结晶界面所在的温度场；所述目标计算域为对目标几何模型进行网格划分后得到的，所述目标几何模型为根据晶体生长炉和利用所述晶体生长炉通过导模法生长的氧化镓晶体在三维直角坐标系下建立的三维几何模型，所述目标结晶界面为所述氧化镓晶体和所述氧化镓晶体对应的熔体之间的三维非轴对称结晶界面；所述目标计算域中包括构成所述目标结晶界面的至少两个目标网格面； 根据所述温度场，确定所述目标结晶界面对应的目标函数；所述目标函数用于建立所述目标结晶界面中目标网格面的温度和所述目标网格面的三维坐标之间的关联关系； 计算所述目标函数在所述三维直角坐标系的坐标轴方向上的方向导数；所述方向导数用于反映所述目标网格面的温度在所述三维直角坐标系的坐标轴方向上的温度梯度； 根据所述目标网格面在所述三维直角坐标系下的三维坐标和所述方向导数，确定所述目标网格面的温度变化因子；所述温度变化因子用于反映所述目标网格面在平行于第二平面的温度梯度方向上的热流密度相对于所述目标网格面在所述三维直角坐标系的z轴方向上热流密度的变化程度，所述目标结晶界面的变形程度与所述目标网格面在平行于所述第二平面的温度梯度方向上的热流密度和所述目标网格面在z轴方向上的热流密度之比正相关；所述第二平面为所述三维直角坐标系的x轴和y轴构成的平面； 根据各个所述目标网格面的温度变化因子，确定所述目标结晶界面的变形程度。

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