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龙图腾网恭喜诺基亚技术有限公司申请的专利量子计算装置的存储器单元的布置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112912904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980070112.5，技术领域涉及：G06N10/00；该发明授权量子计算装置的存储器单元的布置是由罗伯特·L·威力特设计研发完成，并于2019-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子计算装置的存储器单元的布置在说明书摘要公布了：本文中揭示一种用于将分数量子霍尔效应微滴存储于其中的互连存储器单元阵列，所述微滴的状态可使用施加到单元电极的电压进行控制。在实例实施例中，所述存储器单元经布置且经连结在一起例如以例如相较于具有相同数目个存储器单元的线性阵列的几何大小减小所述阵列的几何大小。举例来说，所述存储器单元的一或多个轮辐布置可用于此目的。所述阵列的所述较小几何大小可导致跨其中约束的所述微滴的更好的相干性，这可有利地用于改进对应量子计算装置的可靠性及或性能。

本发明授权量子计算装置的存储器单元的布置在权利要求书中公布了：1.一种用于量子计算的设备，其包括：平面半导体量子阱结构，其具有沿着其顶表面延伸的层；多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一者在接近所述顶表面且在所述顶表面上方具有第一图案的可控电极，所述第一图案的所述电极横向环绕通过通道接合的所述半导体量子阱结构的三个或更多个横向区域的对应物理顺序；及一或多个存储器单元连结器，其能配置为连结所述多个存储器单元，所述一或多个存储器单元连结器中的每一者在接近所述顶表面且在所述顶表面上方具有相应第二图案的可控电极；且其中所述第一及第二图案的所述电极是可控制的以耗尽电荷载流子的所述量子阱结构的下伏横向区，使得所述半导体量子阱结构中的所述电荷载流子的微滴沿着所述顶表面横向局部化，所述一个或多个第二图案的所述电极是可控制以在所述一个或多个存储器单元连结器内沿着所述顶表面约束所述微滴的一部分，以连接所述多个存储器单元中的至少三个存储器单元；以及其中所述一或多个存储器单元连结器中的至少一个存储器单元是可配置的以支持所述存储器单元中的所述至少三个存储器单元及所述一或多个存储器单元连结器中的至少一个存储器单元中的所述微滴的一部分的分数量子霍尔效应状态的纠缠。

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